Untersuchungen zum Wachstum von SiGe/Si Dots aus der Flüssigphase

研究液相中 SiGe/Si 点的生长

• 批准号: 30593222
• 负责人: Privatdozent Dr. Michael Hanke
• 金额: --
• 依托单位: Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/30593222?language=en
• 关键词: Untersuchungen; zum; Wachstum; von; SiGe

Kernziel des vorliegenden Projekts bildet der ambitionierte Versuch, Kristallwachstum von nanoskaligen Inseln während der Flüssigphasenepitaxie (LPE) in situ mittels diffuser Röntgenstreuung zu untersuchen. Da bei dieser Züchtungsmethode das Wachstum unter einer metallischen Lösung stattfindet und erst nach Entfernung ebendieser - defacto ex situ - das Resultat beurteilt werden kann, können Oberflächen abtastende Rastersondenverfahren im allgemeinen nur retrospektiv zur Aufklärung des eigentlichen Wachstumsgeschehens beitragen. Mittel der Wahl sind und bleiben Streu-methoden. Der wohl naheliegendste Gedanke - eine bereits existierende LPE-Anlage für die Röntgenanalytik umzurüsten ¿ lässt sich jedoch aus mehreren Gründen nicht in die Praxis übertragen. Stattdessen wird ein Experiment vorgeschlagen, das mit vorpräparierten sandwichartigen Strukturen auskommt, wobei in einem eigens für diesen Zweck zu konstruierenden Untersuchungsofen über einen geeigneten Temperaturgradienten das Wachstum aus der flüssigen Phase gesteuert wird. Sofern das zu bewachsende Substrat nur hinreichend dünn genug gewählt ist, lässt sich in diesem Umfeld durch die Substratrückseite hindurch diffuse Röntgenstreuung sowohl zur Aufklärung der fest-flüssig Grenzfläche als auch der sich unmittelbar anschließenden Gebiete in Flüssigkeit und Festkörper betreiben. SiGe auf Silizium dient in diesem Zusammenhang als geeignetes Modellsystem u.a. wegen des in weiten Grenzen einstellbaren Germaniumgehaltes, respektive der zwischen Schicht und Substrat auftretenden Gitterfehlpassung.

为了实现Versuch的宏伟目标，纳米晶Inseln的Kristallwachstum在原位使用了Flüssigphasenepitaxie（LPE）扩散器Röntgenstreuung zu untersuchen。通过这种Züchtungsmethode das Wachstum unter einer metallischen Lösung stattfindet and erst nach Entfernung ebendieser -deactual ex situ - das Resultat beurteilt韦尔登可以看出，Oberflächen abtastende Rastersondenverfahren im allgemeinen努尔retrospektiv zur Aufklärung des eigentlichen Wachstumsgeschehens beitragen.中间的墙是弯曲的。Der wohl naheliegendste Gedanke - eine bereits appropritierende LPE-Anlage für die Röntgenanalytik umzurüsten <$lässt sich jedoch aus mehreren Gründen nicht in die Praxis übertragen.统计将是一个实验vorgeschlagen，das mit voräparierten biochartigen Strukturen auskommt，wobei在einem eigens für diesen Zweck zu construierenden Untersuchungsofen über eigneten Temperaturgradienten das Wachstum aus der flüssigen Phase gesteuert wird。因此，如果Substrat仅能在一段时间内保持稳定，那么Umfeld中的Lässt sich durch die Substrückseite hinder-diffuse Röntgenstreuung sowohl zur Aufklärung der fest-flüssig Grenzfläche als auch der sich unmittelbar anschließenden Gebiete in Flüssigkeit und Festkörper betreiben。美国Geignetes模型系统中的SiGe和Si成分。我们将在不同的温度下分别对两种不同的Schicht和Substrat进行热处理。