MBE-Modernisierung zum Wachstum von quaternären II-V-Halbleitern

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Das beantragte System soll eine vorhandene Antimonid-MBE-Anlage ersetzen. Die Anlage wird eine extreme Kontrolle von Zusammensetzungen und Schichtdicken beim epitaktischen Wachstum von AlGalnAsSb-Schichten und dadurch das sehr kontrollierte Wachstum ternärer, quaternärer und bisweilen fünfkomponentiger Schichten ermöglichen. So werden komplexe Antimonid-Schichtstruktur-Designs realisierbar, deren epitaktisches Wachstum bisher an der TU Kaiserslautern unmöglich war. Das System besteht aus einer Wachstumskammer (inkl. Pumpenverbindungsmodul sowie entsprechender Cryoshrouds zur Flüssigstickstoff-Kühlung) sowie Verdampfungsöfen, so genannten Effusionszellen, für die Materialien Sb (Antimon) und In (Indium) sowie Shuttern und Temperaturreglern für alle Effusionszellen sowie einem RAS-in situ-Analvsesvstem („reflection anisotropy spectroscopy ). Als Zubehör werden diverse Pumpen mitbeantragt.