Direktes Wachstum von CdTe Detektor - Schichten auf einer CMOS basierten Auslese - Elektronik

Ziel dieses projects ist die Entwicklung von großflächigen Röntgenbilddetektoren fr die medizinische Röntgendiagnostik mitthilife多晶聚合物CdTe-Schichten也指导了Konvertermaterial。Um dies zu erreichen sollen die CdTe-Schichten direckt auf einer pixelauslese - ktronik她的die气相augewachsen werden。Neben dem direcrekten Wachstum auf der Auslese-Elektronik soll CdTe auf strukturierten和nicht strukturierten， thermisch oxidierten Siliziumwafern abgeschieden werden, um aussagekräftige Messungen （beispielsweise photoelektronenspektroskie, elektrische Messungen）和<s:1> bertragbaren einfachen Schichtstrukturen zu erhalten。Zudem sollen die mit Metallkontakten strukturierten Substrate in seltives Anwachsen von CdTe and damit eine Vergrößerung der Korngröße ermöglichen。一些sollen grundlegende Erkenntnisse des zusammenhayszwischen Korngröße和erreichbarer Detektoreffizienz gewomnen werden。Medipix2 ausleschip (photonenzählender Pixeldetektor), Medipix Collaboration des CERN verwendet werden。Die Medipix2 Auslese-Elektronik hält eine temperature von 375°C <e:1> mehrere Stunden stand und bietet zusätzlich mit 55 x 55 μm²Pixelgröße eine hohe Ortsauflösung。Herstellung还在“Charakterisierung der Detektorschichten mit Chip möglich”上发表了一份声明。in Schwerpunkt der Arbeiten light in der Entwicklung gengend dicker Schichten is 600 μm, die bei geringen substrate - temperature max。400°C gewachsen werden, um später die CMOS Auslese - Elektronik night zu beschädigen。Um möglichst hohe Bias- Spannungen and die Konverterschicht anlegen zu können, soll eine M-π-p strucktur verwendet werden。Diese fordert nicizizierende Kontakte mit化学和热化学Beständigkeit。1 .德国Schichtstrukturen stehen德国Schichtstrukturen德国Schichtstrukturen德国Schichtstrukturen德国Korngröße德国Schichtstrukturen德国Korngröße德国Schichtstrukturen德国Korngröße德国Schichtstrukturen德国Korngröße德国Schichtstrukturen德国Korngröße德国。Ein weiterer Schwerpunkt light in der Entwicklung und dem Aufbau einer PVD分析，die hohe Wachstumsraten and damit die gewschten Schichtdicken is 600 μm ermöglicht。

Ziel dieses Projekts ist die Entwicklung von großflächigen Röntgenbilddetektoren für die medizinische Röntgendiagnostik mithilfe polykristalliner CdTe-Schichten als direktes Konvertermaterial. Um dies zu erreichen sollen die CdTe-Schichten direkt auf einer Pixelauslese-Elektronik über die Gasphase aufgewachsen werden. Neben dem direkten Wachstum auf der Auslese-Elektronik soll CdTe auf strukturierten und nicht strukturierten, thermisch oxidierten Siliziumwafern abgeschieden werden, um aussagekräftige Messungen (beispielsweise Photoelektronenspektroskopie, elektrische Messungen) an übertragbaren einfachen Schichtstrukturen zu erhalten. Zudem sollen die mit Metallkontakten strukturierten Substrate ein selektives Anwachsen von CdTe und damit eine Vergrößerung der Korngröße ermöglichen. Somit sollen grundlegende Erkenntnisse des Zusammenhangs zwischen Korngröße und erreichbarer Detektoreffizienz gewonnen werden. Als Auslese – Elektronik soll der Medipix2 Auslesechip (photonenzählender Pixeldetektor) der Medipix Collaboration des CERN verwendet werden. Die Medipix2 Auslese-Elektronik hält eine Temperatur von 375°C über mehrere Stunden stand und bietet zusätzlich mit 55 x 55 μm² Pixelgröße eine hohe Ortsauflösung. Somit sind sowohl Herstellung als auch Charakterisierung der Detektorschichten mit diesem Chip möglich. Ein Schwerpunkt der Arbeiten liegt in der Entwicklung genügend dicker Schichten bis 600 μm, die bei geringen Substrat – Temperaturen bis max. 400°C gewachsen werden, um später die CMOS Auslese – Elektronik nicht zu beschädigen. Um möglichst hohe Bias- Spannungen an die Konverterschicht anlegen zu können, soll eine M-π-p Struktur verwendet werden. Diese erfordert nicht injizierende Kontakte mit hoher chemischer und thermischer Beständigkeit. An diesen Schichtstrukturen stehen Untersuchungen zum Einfluss der Korngröße auf die erreichbare Detektoreffizienz und Versuche die Korngröße zu vergrößern im Vordergrund. Ein weiterer Schwerpunkt liegt in der Entwicklung und dem Aufbau einer PVD Anlage, die hohe Wachstumsraten und damit die gewünschten Schichtdicken bis 600 μm ermöglicht.