Kristallzüchtung von (Cd,Zn)Te durch Detached Bridgman Growth

分离的布里奇曼成长的方法是von groüer Bedeutung zur Kristallzüchtung von Halbleitern and optischen Kristallen。这是一项非常重要的工作，也是一项非常重要的工作。他将死于他的成长和他的爱因堡和他的未来。从实验室获得的材料和材料的不稳定是不稳定的。这是一种分离的增长，是一种以实验为基础的强化理论。阿尔伯特-路德维希-弗莱堡大学(ALU)和明尼苏达大学(UMN)的国际合作。这些实验是在ALU过程中进行的，并进行了模拟和实验。在Lage sein，destehenden Einschränkungen des einstehenen Einschränkungen des instehenden Einschränkungen des Seed Growth zuüberwinden.齐尔·德·德·科协与工业和工业的分离的增长与分离的增长来自Kristallzüchttung von Kristallen MIT einem groüen DurchMesser and angepaselekontronchischisften。

Die Methode des Detached Bridgman Growth ist von großer Bedeutung zur Kristallzüchtung von Halbleitern und optischen Kristallen. Das Phänomen wurde zuerst bei Experimenten unter Schwerelosigkeit beobachtet, bei denen die Schmelze den Tiegel nicht benetzte und eine wandfreie Züchtung ermöglichte. Dadurch wird die Bildung von Defekten und der Einbau von Verunreinigungen deutlich reduziert. Die Umsetzung dieses Verfahren auf die Kristallzüchtung unter Laborbedingungen zeigte bereits deutliche Verbesserungen des Materials, aber auch eine Instabilität während des Vorgangs der Kristallzüchtung. Um Detached Growth als erfolgreiches Kristallzüchtungsverfahren einsetzen zu können, ist daher ein fundiertes Verständnis des Detached Phänomens erforderlich: Dies kann nur durch intensive theoretische wie auch experimentelle Arbeiten erreicht werden. Zu diesem Zweck soll die internationale Kollaboration zwischen der Albert-Ludwigs-Universität Freiburg (ALU) und der University of Minnesota (UMN) durchgeführt werden. Die experimentellen Arbeiten zur Kristallzüchtung werden an der ALU durchgeführt und die Berechnungen und Simulationen an der UMN. Durch die Synergie der unterschiedlichen Vorkenntnisse und Fähigkeiten der beiden Arbeitsgruppen wird man in der Lage sein, die bestehenden Einschränkungen des Detached Growth zu überwinden.Ziel der Kollaboration ist die Umsetzung des Detached Growth auf industriellen Anforderungen für die Kristallzüchtung von Kristallen mit einem großen Durchmesser und angepassten elektronischen Eigenschaften.