Kristallzüchtung von (Cd,Zn)Te durch Detached Bridgman Growth

分离式布里奇曼增长方法是半导体和光学晶体的大幅度增长。这一现象在实验中被观察到，但在实验中，铁凝胶的溶解并不有利，而且还存在一个自由的Züchtung。Dadawed wird the Bildung von Defekten und der Einbau von Verunreinigungen deutlich reduziert.在Kristallzüchtung上的Umsetzung dieses Verfahren unter usedingungen zeigte bereits deutliche Verbesserungen des Materials，aber auch eine Instabilität während des Vorgangs der Kristallzüchtung.“分离增长”作为一种新的经济增长方式，是对“分离现象”的一种基本的理解：这种理解只能通过密集的理论和韦尔登的实验来实现。这两所大学都是韦尔登阿尔伯特-路德维希-弗赖堡大学（ALU）和明尼苏达大学（UMN）在弗赖堡的国际合作伙伴。在ALU上进行Kristallzüchtung韦尔登实验，在UMN上进行Berechnungen和Simulationen。在拉格阶段，通过对劳动力群体的非均衡增长和高增长的协同作用，实现了分离增长的最佳模式。

Die Methode des Detached Bridgman Growth ist von großer Bedeutung zur Kristallzüchtung von Halbleitern und optischen Kristallen. Das Phänomen wurde zuerst bei Experimenten unter Schwerelosigkeit beobachtet, bei denen die Schmelze den Tiegel nicht benetzte und eine wandfreie Züchtung ermöglichte. Dadurch wird die Bildung von Defekten und der Einbau von Verunreinigungen deutlich reduziert. Die Umsetzung dieses Verfahren auf die Kristallzüchtung unter Laborbedingungen zeigte bereits deutliche Verbesserungen des Materials, aber auch eine Instabilität während des Vorgangs der Kristallzüchtung. Um Detached Growth als erfolgreiches Kristallzüchtungsverfahren einsetzen zu können, ist daher ein fundiertes Verständnis des Detached Phänomens erforderlich: Dies kann nur durch intensive theoretische wie auch experimentelle Arbeiten erreicht werden. Zu diesem Zweck soll die internationale Kollaboration zwischen der Albert-Ludwigs-Universität Freiburg (ALU) und der University of Minnesota (UMN) durchgeführt werden. Die experimentellen Arbeiten zur Kristallzüchtung werden an der ALU durchgeführt und die Berechnungen und Simulationen an der UMN. Durch die Synergie der unterschiedlichen Vorkenntnisse und Fähigkeiten der beiden Arbeitsgruppen wird man in der Lage sein, die bestehenden Einschränkungen des Detached Growth zu überwinden.Ziel der Kollaboration ist die Umsetzung des Detached Growth auf industriellen Anforderungen für die Kristallzüchtung von Kristallen mit einem großen Durchmesser und angepassten elektronischen Eigenschaften.