Design und Optimierung von CdZnTe Halbleiter-Detektoren für die Messung seltener Prozesse, insbesondere des doppelten Betazerfalls

用于测量稀有过程(尤其是双贝塔衰变)的 CdZnTe 半导体探测器的设计和优化

基本信息

项目摘要

Es soll die Verwendbarkeit von CdTe und CdZnTe Halbleiterdetektoren für die Suche nach seltenen Kernzerfällen, insbesondere des neutrinolosen doppelten Betazerfalls studiert werden. Hierzu sind Fragen der intrinsischen radioaktiven Verunreinigung, der Langzeitstabilität und einer effektiven Abschirmung zu beantworten. Zu den physikalischen Zielen gehört sowohl eine Präzisionsmessung des 4-fach verbotenen Betazerfalls von 113Cd als auch die signifikante Verbesserung existierender Schranken auf die Halbwertszeit diverser Doppelbeta-Zerfallsmoden von verschiedenen Cd, Te und Zn Isotopen.
he soll die Verwendbarkeit von CdTe und cdzn . Halbleiterdetektoren fbr die Suche nach seltenen Kernzerfällen, insbesonere des neutrinolosen doppelten Betazerfalls studiert werden。本然放射学研究进展,研究进展Langzeitstabilität和有效放射学研究进展。zuden physikalischen Zielen gehört sowohl eine Präzisionsmessung des 4- ch verbotenen Betazerfalls von 113Cd也有显著的Verbesserung存在,Schranken audie Halbwertszeit多样性doppelβ - zerfallsmoden von verschiedenen Cd, the和Zn isoopen。

项目成果

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