Design und Optimierung von CdZnTe Halbleiter-Detektoren für die Messung seltener Prozesse, insbesondere des doppelten Betazerfalls

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Es soll die Verwendbarkeit von CdTe und CdZnTe Halbleiterdetektoren für die Suche nach seltenen Kernzerfällen, insbesondere des neutrinolosen doppelten Betazerfalls studiert werden. Hierzu sind Fragen der intrinsischen radioaktiven Verunreinigung, der Langzeitstabilität und einer effektiven Abschirmung zu beantworten. Zu den physikalischen Zielen gehört sowohl eine Präzisionsmessung des 4-fach verbotenen Betazerfalls von 113Cd als auch die signifikante Verbesserung existierender Schranken auf die Halbwertszeit diverser Doppelbeta-Zerfallsmoden von verschiedenen Cd, Te und Zn Isotopen.