3D-Terahertz-Kamerasysteme auf Basis kostengünstiger vollintegrierter SiGe-Technologie mit erhöhter Tiefenauflösung.

3D 太赫兹相机系统基于经济高效、完全集成的 SiGe 技术，具有更高的深度分辨率。

• 批准号: 199692201
• 负责人: Professor Dr. Ullrich Pfeiffer
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Hochfrequenzsysteme in der Kommunikationstechnik (IHCT)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2015-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/199692201?language=en
• 关键词: 3D; Terahertz; Kamerasysteme; auf; Basis

Im Rahmen dieses Forschungsvorhabens soll die Realisierbarkeit eines vollintegrierten 3D-Terahertz-Kamerasystems auf Silizium-Basis experimentell untersucht werden. Dazu soll ein Einpixel-adarabbildungssystem aufgebaut werden, das die am Lehrstuhl entwickelten vollintegrierten Silizium-Terahertz-Bausteine einsetzt. Im Vergleich zur existierenden Laser- bzw. III-V-Halbleiter-Terahertz-Technik ist eine vollelektronische Implementierung in Silizium sehr kompakt und kostengünstig. Es soll zunächst auf bekannte Radarabbildungsverfahren zurückgegriffen werden, die aber speziell für den Einsatz der Silizium-Terahertz-Technik angepasst und optimiert werden sollen. Im Gegensatz zu der üblichen Fourier-Auswertung des Empfangssignals sollen zur Erhöhung der Tiefenauflösung alternative Signalverarbeitungsalgorithmen erprobt werden. Ergänzend sollen die schon vorhandenen Chip-Architekturen auf ihre Leistungsfähigkeit für den Einsatz in 3D-Radarabbildungsverfahren untersucht und aus den Erfahrungen optimierte Architektur-Konzepte erarbeitet werden. Durch Zusammenarbeit mit industriellen Partnern besteht die Möglichkeit, neue Chip-Architekturen zu fertigen. Die in diesem Forschungsvorhaben erreichten Ergebnisse sollen die Basis für die Entwicklung von kostengünstigen 3D-Terahertz-Mehrpixel-Kamerasystemen bilden, die in Mehrzahl für Industrieanwendungen und im Bereich der zivilen Sicherheit eingesetzt werden können.

在硅基实验上，研究了一种三维太赫兹测量系统的实现方法。我们将在韦尔登上建造一个像素级的教育系统，这将使我们能够使用太赫兹的硅-包斯坦。我正在寻找激光器- bzw。III-V-Halbleiter-Terahertz-Technik is eine vollelektronische Implementierung in Silizium sehr kompakt und kostengünstig.因此，要使雷达的辐射性能达到韦尔登，就必须有一种专门的方法来提高太赫兹硅技术的辐射性能，并使之达到最佳的韦尔登性能。在对空方信号的傅里叶放大的研究中，替代信号的传输问题是韦尔登。Ergänzend sollen die schon vorhandenen Chip-Architekturen auf ihre Leistungsfähigkeit für den Einquiry in 3D-Radarabildungsverfahren untersucht und aus den Erfahrungen optimierte Architektur-Konzepte erarbeitet韦尔登.与工业合作伙伴合作，开发新的芯片架构。Die in diesem Forschungsvorhaben erreichten Ergebnisse sollen die Basis für die Entwicklung von kostengünstigen 3D-Terahertz-Mehrpixel-Kamerasystemen bilden，die in Mehrzahl für Industrieanwendungen und im Bereich der zivilen Sicherhertzeingesetzt韦尔登knen.

项目成果

A wideband 240 GHz lens-integrated circularly polarized on-chip annular slot antenna for a FMCW radar transceiver module in SiGe technology

用于采用 SiGe 技术的 FMCW 雷达收发器模块的宽带 240 GHz 透镜集成圆极化片上环形缝隙天线

• DOI: 10.1109/imoc.2015.7369165
• 发表时间: 2015
• 期刊: 2015 SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics Conference (IMOC)
• 作者: J. Grzyb;K. Statnikov;N. Sarmah;U. Pfeiffer
• 通讯作者: U. Pfeiffer

A lens-coupled 210–270 GHz circularly polarized FMCW radar transceiver module in SiGe technology

采用 SiGe 技术的透镜耦合 210â270 GHz 圆偏振 FMCW 雷达收发器模块

• DOI: 10.1109/eumc.2015.7345822
• 发表时间: 2014
• 期刊: 2015 European Microwave Conference (EuMC)
• 作者: K. Statnikov;N. Sarmah;J. Grzyb;S. Malz;B. Heinemann;U. R. Pfeiffer
• 通讯作者: U. R. Pfeiffer

A 240-GHz circularly polarized FMCW radar based on a SiGe transceiver with a lens-coupled on-chip antenna

基于带有透镜耦合片上天线的 SiGe 收发器的 240 GHz 圆极化 FMCW 雷达

• DOI: 10.1017/s1759078715000379
• 发表时间: 2015
• 期刊: International Journal of Microwave and Wireless Technologies
• 影响因子: 1.4
• 作者: K. Statnikov;J. Grzyb;N. Sarmah;S. Malz;B. Heinemann;U. R. Pfeiffer
• 通讯作者: U. R. Pfeiffer

A Fully Integrated 240-GHz Direct-Conversion Quadrature Transmitter and Receiver Chipset in SiGe Technology

采用 SiGe 技术的完全集成 240 GHz 直接转换正交发射器和接收器芯片组

• DOI: 10.1109/tmtt.2015.2504930
• 发表时间: 2015
• 期刊: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
• 影响因子: 4.3
• 作者: N. Sarmah;J. Grzyb;K. Statnikov;S. Malz;P. R. Vazquez;W. Foerster;B. Heinemann;U. R. Pfeiffer
• 通讯作者: U. R. Pfeiffer