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TEASAR (TErahertz Active Source ARrays)An all-silicon reconfigurable terahertz source array for active imaging beyond 300 GHz

TEASAR（太赫兹有源源阵列）一种全硅可重构太赫兹源阵列，用于 300 GHz 以上的有源成像

基本信息

批准号：
240249557
负责人：
Professor Dr. Ullrich Pfeiffer
金额：
--
依托单位：
Lehrstuhl für Hochfrequenzsysteme in der Kommunikationstechnik (IHCT)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2014
资助国家：
德国
起止时间：
2013-12-31 至 2017-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/240249557?language=en
关键词：
TEASAR TErahertz Active Source ARrays

项目摘要

Today's terahertz technologies have promised rapid growth in emerging markets such as safety and security, non-destructive testing, quality control, medical, and healthcare applications. However, the speed at which new markets emerge is slow because available technologies exhibit high-cost and low-level of integration, which substantially limits their mass-deployment. Silicon process technologies, however, offer low-cost industry standards with the required reliability. Recently, CMOS process technologies have been proven to be viable for hand-held, room-temperature, and battery-operated terahertz camera systems, however, such systems are in the need of efficient sources and illumination concepts yet to be developed. The aim of this research, therefore, is to develop low-cost single-chip source arrays in silicon process technologies to complement existing CMOS terahertz cameras above 300 GHz. Global illumination scenarios for active terahertz imaging systems with angular, spatial, frequency, and polarization diversity will provide an all-silicon solution for terahertz imaging - a breakthrough in terahertz science and technologies.

今天的太赫兹技术有望在安全和安保、无损检测、质量控制、医疗和保健应用等新兴市场实现快速增长。然而，新市场出现的速度很慢，因为现有技术表现出高成本和低水平的集成，这在很大程度上限制了它们的大规模部署。然而，硅工艺技术提供了具有所需可靠性的低成本行业标准。最近，CMOS工艺技术已被证明对手持、室温和电池供电的太赫兹相机系统是可行的，然而，这些系统需要高效的光源和尚未开发的照明概念。因此，这项研究的目的是在硅工艺技术中开发低成本的单芯片源阵列，以补充现有的300 GHz以上的CMOS太赫兹相机。具有角度、空间、频率和极化多样性的有源太赫兹成像系统的全球照明场景将为太赫兹成像提供全硅解决方案-这是太赫兹科学和技术的一项突破。

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

An antenna-coupled 0.49 THz SiGe HBT source for active illumination in terahertz imaging applications

用于太赫兹成像应用中有源照明的天线耦合 0 49 THz SiGe HBT 源

DOI：
10.1109/eumic.2015.7345098
发表时间：
2015
期刊：
2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
影响因子：
0
作者：
P. Hillger;J. Grzyb;R. Lachner;U. R. Pfeiﬀer
通讯作者：
U. R. Pfeiﬀer

A 0.53 THz Reconfigurable Source Module With Up to 1 mW Radiated Power for Diffuse Illumination in Terahertz Imaging Applications

辐射功率高达 1 mW 的 0 53 THz 可重构光源模块，适用于太赫兹成像应用中的漫射照明

DOI：
10.1109/jssc.2014.2358570
发表时间：
2014
期刊：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
影响因子：
5.4
作者：
U. R. Pfeiﬀer;Y. Zhao;J. Grzyb;R. Al Hadi;N.Sarmah;Neelanjan;W. Föster;H. Rücker;B. Heinemann
通讯作者：
B. Heinemann

SiGe Transmitter and Receiver Circuits for Emerging Terahertz Applications

适用于新兴太赫兹应用的 SiGe 发射器和接收器电路

DOI：
10.1109/csics.2014.6978576
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
0
作者：
U. R. Pfeiﬀer;J. Grzyb;R. Al Hadi;N. Sarmah;K. Statnikov;S. Malz;B. Heinemann
通讯作者：
B. Heinemann

A 246 GHz fundamental source with a peak output power of 2.8 dBm

峰值输出功率为 2·8 dBm 的 246 GHz 基波源