Metallorganische Gasphasenepitaxie von Gruppe III-Nitriden mit neuartigen Quellen

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Neuartige Stickstoffquellen sollen für die metallorganische Gasphasenepitaxie von Gruppe III-Nitriden eingesetzt werden. Die Arbeiten des Antragszeitraumes konzentrieren sich auf die zuvor erfolgreich getesteten Verbindungen der Hydrazine und der aussichtsreichen Ethylenimine. Bei den Hydrazinen soll vor allen Dingen hochgereinigtes Tertiärbutylhydrazin, das über eine Kooperation mit Mochem realisiert werden kann, für die Epitaxie hochwertiger GaN- und InN-Schichten eingesetzt werden. Ziel ist das Wachstum von gitterangepaßten Schichten und Übergittern auf GaAs im InGaAsN-Materialsystem mit möglichst kleiner Bandlücke im Hinblick auf Anwendungen bei IR-Lasern. Bei den Ethyleniminen ist die Möglichkeit des epitaktischen Wachstums von GaN und InN zu untersuchen.