SBIR Phase I: Defect Mapping Instrument for Optimizing Wafer Manufacturing Process

SBIR 第一阶段:用于优化晶圆制造工艺的缺陷测绘仪器

基本信息

  • 批准号:
    1315026
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 14.99万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2013-07-01 至 2013-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This Small Business Innovation Research project will investigate the feasibility of detecting subsurface defects in semiconductors. Integrated circuit manufacturing involves a number of processing steps. Starting from bare wafer, each step can lead to defects, which, if not detected, can lower yield and increase cost. Certain buried defects are not detectable using standard imaging techniques due to presence of absorptive layers. This proposal describes a non-contact, non-destructive tool that utilizes optical/acoustic technique that enables rapid wafer scan, producing subsurface defect map to locate and minimize defects during integrated circuit manufacturing. When the tool is used in infrared focal plane array manufacturing line, it increases detector array operability from 95% to near 100% due to early detection of defects. The intellectual merit of the proposed activity is applying novel optical/acoustic technique for detecting subsurface features and defects. The research objectives are to demonstrate the ability to detect subsurface defects that occur in wafers during semiconductor processing. The research activities include design, fabrication and testing to demonstrate a defect map in wafers that are not detectable by surface imaging. The outcome will be a measurement tool that can rapidly identify and locate subsurface defects.The broader impact/commercial potential of this project will greatly benefit the semiconductor manufacturing industry by providing a tool that increases yield and reduce manufacturing cost. The end user will also benefit from the lower cost of electronics resulting from increased yield. Environmental benefits include reduction of wasted wafers and associated materials and chemicals used during wafer processing. Other use of this technology is as a laboratory instrument, providing a new subsurface characterization tool to the scientific community.
这个小型企业创新研究项目将研究检测半导体表面缺陷的可行性。集成电路制造涉及多个处理步骤。 从裸晶圆开始,每个步骤都可能导致缺陷,如果没有检测到,可能会降低产量并增加成本。 由于存在吸收层,使用标准成像技术无法检测某些掩埋缺陷。 该提案描述了一种非接触式、非破坏性工具,该工具利用光学/声学技术实现快速晶圆扫描,生成表面下缺陷图,以定位并最大限度地减少集成电路制造期间的缺陷。当该工具用于红外焦平面阵列生产线时,由于早期检测到缺陷,它将检测器阵列的可操作性从95%提高到接近100%。 拟议活动的智力价值是应用新的光学/声学技术来探测表面下的特征和缺陷。研究目标是展示在半导体加工过程中检测晶片中出现的次表面缺陷的能力。 研究活动包括设计、制造和测试,以展示表面成像无法检测到的晶圆缺陷图。 该项目的成果将是一种能够快速识别和定位表面缺陷的测量工具。该项目的广泛影响/商业潜力将通过提供一种提高产量和降低制造成本的工具而使半导体制造业受益匪浅。 最终用户还将受益于产量增加带来的电子产品成本降低。 环境效益包括减少浪费的晶圆以及晶圆加工过程中使用的相关材料和化学品。 该技术的其他用途是作为实验室仪器,为科学界提供新的地下表征工具。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Araz Yacoubian其他文献

Araz Yacoubian的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Araz Yacoubian', 18)}}的其他基金

SBIR Phase II: Defect Mapping Instrument for Optimizing Wafer Manufacturing Process
SBIR 第二阶段:用于优化晶圆制造工艺的缺陷测绘仪器
  • 批准号:
    1430690
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Electro-Optic Sensor for Real-Time Defect Detection During Integrated Circuits (IC) and Microelectromechanical Systems (MEMS) Wafer Growth
SBIR 第一阶段:用于集成电路 (IC) 和微机电系统 (MEMS) 晶圆生长过程中实时缺陷检测的光电传感器
  • 批准号:
    0318517
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant

相似国自然基金

Baryogenesis, Dark Matter and Nanohertz Gravitational Waves from a Dark Supercooled Phase Transition
  • 批准号:
    24ZR1429700
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
ATLAS实验探测器Phase 2升级
  • 批准号:
    11961141014
  • 批准年份:
    2019
  • 资助金额:
    3350 万元
  • 项目类别:
    国际(地区)合作与交流项目
地幔含水相Phase E的温度压力稳定区域与晶体结构研究
  • 批准号:
    41802035
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    12.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于数字增强干涉的Phase-OTDR高灵敏度定量测量技术研究
  • 批准号:
    61675216
  • 批准年份:
    2016
  • 资助金额:
    60.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于Phase-type分布的多状态系统可靠性模型研究
  • 批准号:
    71501183
  • 批准年份:
    2015
  • 资助金额:
    17.4 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
纳米(I-Phase+α-Mg)准共晶的临界半固态形成条件及生长机制
  • 批准号:
    51201142
  • 批准年份:
    2012
  • 资助金额:
    25.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
连续Phase-Type分布数据拟合方法及其应用研究
  • 批准号:
    11101428
  • 批准年份:
    2011
  • 资助金额:
    23.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
D-Phase准晶体的电子行为各向异性的研究
  • 批准号:
    19374069
  • 批准年份:
    1993
  • 资助金额:
    6.4 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

SBIR Phase I: Full surface angstrom-level contamination and defect detection on thin glass samples
SBIR 第一阶段:薄玻璃样品的全表面埃级污染和缺陷检测
  • 批准号:
    2126628
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Defect-free manufacturing of ultra-clear monolithic silica aerogels for insulated glass units
SBIR 第一阶段:用于中空玻璃装置的超透明整体二氧化硅气凝胶的无缺陷制造
  • 批准号:
    2037715
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Bioabsorbable Scaffold for Tension-Free Laparoscopic Fascial Defect Closure
SBIR 第一期:用于无张力腹腔镜筋膜缺损闭合的生物可吸收支架
  • 批准号:
    1548689
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Ultra Low Defect Gallium Nitride Mediated by Metal Alloys
SBIR 第二阶段:金属合金介导的超低缺陷氮化镓
  • 批准号:
    1534736
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Defect Mapping Instrument for Optimizing Wafer Manufacturing Process
SBIR 第二阶段:用于优化晶圆制造工艺的缺陷测绘仪器
  • 批准号:
    1430690
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Ultra Low Defect Gallium Nitride Mediated by Metal Alloys
SBIR 第一阶段:金属合金介导的超低缺陷氮化镓
  • 批准号:
    1415803
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Defect-Free Nano-Scale Printing: An Enabling Technology for Nanofabrication
SBIR 第一阶段:无缺陷纳米级印刷:纳米制造的使能技术
  • 批准号:
    1248924
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Resonance Ultrasonic Vibrations for Defect Characterization in Solar Silicon Wafers
SBIR 第一阶段:用于太阳能硅片缺陷表征的超声波谐振
  • 批准号:
    0637259
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Manufacturing High-Density Defect-Free and Phase-Locked Fiber Laser Arrays
SBIR 第一阶段:制造高密度无缺陷锁相光纤激光器阵列
  • 批准号:
    0536254
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Low Noise Scanning Thermal Microscopy for Defect Detection and Characterization of Semiconductor Materials
SBIR 第一阶段:用于半导体材料缺陷检测和表征的低噪声扫描热显微镜
  • 批准号:
    0339651
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 14.99万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了