Dünnschicht-Röntgendiffraktometer mit 4-Kreis Goniometer und Reflektometrie-Option

我是拉赫曼，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学，我的材料科学。在此基础上，建立了定量分析模型，并对模型进行了分析。<s:1>射线衍射例程- 2- kres衍射仪的衍射谱图。Zur分析von Platzwechsel-Unordnung - ist - jedoch - notenddig，每个夜间光谱Röntgenreflexe auszuwerten， die nur mit einem 4- kreis - diffraction - tometer zugänglich sind。晶体结构与衍射仪的衍射特性分析möglich。weiterinist f<s:1> [r]与[r]； [r]与[r]； [r]与[r]； [r]与[r]；反射计动力学原理Strahlabschwächer，平行器动力学原理Röntgenstrahl-Geometrie，平行器动力学原理Filmoberfläche。

Im Rahmen der materialwissenschaftlichen Forschungsprojekte ist eine detaillierte Kenntnis der kristallographischen Ordnung der untersuchten epitaktischen dünnen Schichten erforderlich. Dies beinhaltet eine Analyse von Fremdphasen und Fehlorientierungen ebenso wie eine quantitative Auswertung von Mosaikstruktur und Kohärenzlängen. Für diese Routine-Untersuchungen wird in der Regel ein 2-Kreis-Diffraktometer verwendet. Zur Analyse von Platzwechsel-Unordnung ist es jedoch notwendig, auch nicht-spekulare Röntgenreflexe auszuwerten, die nur mit einem 4-Kreis-Diffraktometer zugänglich sind. Auch die Analyse der Zwillingsaufspaltung in epitaktischen Schichten komplexer Kristallstruktur ist nur mit einem 4-Kreis Diffraktometer möglich. Weiterhin ist für die oben genannten Projekte eine exakte Bestimmung von Schichtdicken und Grenzflächenrauhigkeiten von Multilagen notwendig, wofür Röntgenreflektometrie die Methode der Wahl ist. Hierzu ist ein Reflektometer mit dynamischem Strahlabschwächer, einer paralleler Röntgenstrahl-Geometrie, sowie die exakte Justage der Filmoberfläche notwendig.