Dünnschicht-Röntgendiffraktometer mit 4-Kreis Goniometer und Reflektometrie-Option

在材料科学研究项目的框架中，有一个详细的内容是关于在Schichten erforderlich的地下墓志铭的基督教秩序。Dies beinhaltet eine Analyse von Fremdphasen und Fehlorientierungen ebenso wie eine quantitative Auswertung von Mosaikstruktur und Kohärenzlängen.对于这种测量，将在2-Kreis-Diffraktometer Verwendet的Regel中进行。对平面非均匀性的分析是不必要的，也没有特殊的反射，只能用一个4-Kreis-Diffraktometer来进行。也只有一台4-Kreis衍射仪能对外延Schichten komplexer Kristallstruktur中的Zwillingsaufspaltung进行分析。Weiterhin ist für die oben genannten Projekte eine exestimmung von Schichtdicken und Grenzflächenrauhigkeiten von Multilagen notwendig，wofür Röntgenreflektometrie die Method der Wahl ist. Hierzu ist ein Reflektometer mit dynamischem Strahlabschwächer，einer paralleler Röntgenstrahl-Geometrie，sowie die exakte Justage der Filmoberfläche notwendig.

Im Rahmen der materialwissenschaftlichen Forschungsprojekte ist eine detaillierte Kenntnis der kristallographischen Ordnung der untersuchten epitaktischen dünnen Schichten erforderlich. Dies beinhaltet eine Analyse von Fremdphasen und Fehlorientierungen ebenso wie eine quantitative Auswertung von Mosaikstruktur und Kohärenzlängen. Für diese Routine-Untersuchungen wird in der Regel ein 2-Kreis-Diffraktometer verwendet. Zur Analyse von Platzwechsel-Unordnung ist es jedoch notwendig, auch nicht-spekulare Röntgenreflexe auszuwerten, die nur mit einem 4-Kreis-Diffraktometer zugänglich sind. Auch die Analyse der Zwillingsaufspaltung in epitaktischen Schichten komplexer Kristallstruktur ist nur mit einem 4-Kreis Diffraktometer möglich. Weiterhin ist für die oben genannten Projekte eine exakte Bestimmung von Schichtdicken und Grenzflächenrauhigkeiten von Multilagen notwendig, wofür Röntgenreflektometrie die Methode der Wahl ist. Hierzu ist ein Reflektometer mit dynamischem Strahlabschwächer, einer paralleler Röntgenstrahl-Geometrie, sowie die exakte Justage der Filmoberfläche notwendig.