Dünnschicht-Röntgendiffraktometer mit 4-Kreis Goniometer und Reflektometrie-Option

我是Rahman，从材料到材料，从细节到细节都是如此。我们对这一现象进行了定量分析。Für Diese例程-Untersuhugen wed in der Regel ein 2-Kreis-Diffraktometer verwendet.Zur分析了von Platzwechsel-Unordnung is es jedoch notwendig，aeh nht-Spekulare Röntgenrefexe uszuwen ten，die Nur Mit einem 4-Kreis-Diffraktometer Zugänglich Sind.这种分析在外延Schichten komplexer Kristallstructure ist Nur Mit einem 4-Kreis Diffraktometer Möglich中进行。在此基础上，提出了一种新的方法和方法，并在此基础上提出了新的解决方案。这是一个反射仪的动态过程，它的平行线Röntgenstrahl-geometrie，Sowie die exakte JuStage der Filmoberfläche notwendig。

Im Rahmen der materialwissenschaftlichen Forschungsprojekte ist eine detaillierte Kenntnis der kristallographischen Ordnung der untersuchten epitaktischen dünnen Schichten erforderlich. Dies beinhaltet eine Analyse von Fremdphasen und Fehlorientierungen ebenso wie eine quantitative Auswertung von Mosaikstruktur und Kohärenzlängen. Für diese Routine-Untersuchungen wird in der Regel ein 2-Kreis-Diffraktometer verwendet. Zur Analyse von Platzwechsel-Unordnung ist es jedoch notwendig, auch nicht-spekulare Röntgenreflexe auszuwerten, die nur mit einem 4-Kreis-Diffraktometer zugänglich sind. Auch die Analyse der Zwillingsaufspaltung in epitaktischen Schichten komplexer Kristallstruktur ist nur mit einem 4-Kreis Diffraktometer möglich. Weiterhin ist für die oben genannten Projekte eine exakte Bestimmung von Schichtdicken und Grenzflächenrauhigkeiten von Multilagen notwendig, wofür Röntgenreflektometrie die Methode der Wahl ist. Hierzu ist ein Reflektometer mit dynamischem Strahlabschwächer, einer paralleler Röntgenstrahl-Geometrie, sowie die exakte Justage der Filmoberfläche notwendig.