SHF: SMALL: Collaborative Research: Improving Reliability of In-Memory Storage

SHF:SMALL:协作研究:提高内存存储的可靠性

基本信息

  • 批准号:
    1745748
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 17.69万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2017-06-26 至 2022-07-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Emerging nonvolatile memory (NVM) technologies, such as PCM, STT-RAM, and memristors, provide not only byte-addressability, low-latency reads and writes comparable to DRAM, but also persistent writes and potentially large storage capacity like an SSD. These advantages make NVM likely to be next-generation fast persistent storage for massive data, referred to as in-memory storage. Yet, NVM-based storage has two challenges: (1) Memory cells have limited write endurance (i.e., the total number of program/erase cycles per cell); (2) NVM has to remain in a consistent state in the event of a system crash or power loss. The goal of this project is to develop an efficient in-memory storage framework that addresses these two challenges. This project involves undergraduate and graduate students. All software artifacts and tools will be made available to the wider research community. The work has broader industrial and economic impact since it will help improve the reliability of data storage systems for data centers and HPC applications. This project will take a holistic approach, spanning from low-level architecture design to high-level OS management, to optimize the reliability, performance, and manageability of in-memory storage. The technical approach will involve understanding the implication and impact of the write endurance issue when cutting-edge NVM is adopted into storage systems. The improved understanding will motivate and aid the design of cost-effective methods to improve the life-time of in-memory storage and to achieve efficient and reliable consistence maintenance.
新兴的非易失性存储器(NVM)技术,如PCM、STT-RAM和忆阻器,不仅提供字节寻址能力、与DRAM相当的低延迟读取和写入,而且提供持久写入和潜在的大存储容量,如SSD。这些优点使得NVM可能成为下一代大规模数据的快速持久存储,称为内存存储。然而,基于NVM的存储具有两个挑战:(1)存储器单元具有有限的写入耐久性(即,每个单元的编程/擦除周期的总数);(2)NVM必须在系统崩溃或断电的情况下保持一致的状态。这个项目的目标是开发一个有效的内存存储框架来解决这两个挑战。该项目涉及本科生和研究生。所有软件工件和工具将提供给更广泛的研究社区。这项工作具有更广泛的工业和经济影响,因为它将有助于提高数据中心和HPC应用程序的数据存储系统的可靠性。该项目将采取一种整体方法,从底层架构设计到高级操作系统管理,以优化内存存储的可靠性,性能和可扩展性。技术方法将涉及理解的含义和影响的写入耐久性问题时,采用先进的NVM存储系统。提高理解将激励和帮助设计成本效益的方法,以提高内存存储的寿命,并实现有效和可靠的一致性维护。

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Accelerate Hardware Logging for Efficient Crash Consistency in Persistent Memory
加速硬件日志记录以实现持久内存中的高效崩溃一致性
Efficient Hardware Redo Log for Secure Persistent Memory
用于安全持久内存的高效硬件重做日志
Efficient Hardware-assisted Out-place Update for Persistent Memory
高效的硬件辅助持久内存异地更新
FlashWalker: An In-Storage Accelerator for Graph Random Walks
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Efficient NVM Crash Consistency by Mitigating Resource Contention
通过减少资源争用实现高效的 NVM 崩溃一致性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Zhiyuan Lu, Jianhui Yue
  • 通讯作者:
    Zhiyuan Lu, Jianhui Yue
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Ye Chi;Ren-Tong Guo;Xiao-Fei Liao;Hai-Kun Liu;Jianhui Yue
  • 通讯作者:
    Jianhui Yue

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