Development of Peelable and Coupleable Absorber with Optimum Bandgap for Tandem Solar Cells

用于串联太阳能电池的具有最佳带隙的可剥离和可耦合吸收体的开发

基本信息

  • 批准号:
    20K14780
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Peeling Technique by Two-Dimensional MoSe2 Atomic Layer for Bifacial-Flexible Cu(In,Ga)Se2 solar cells
双面柔性Cu(In,Ga)Se2太阳能电池二维MoSe2原子层剥离技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takahito Nishimura*;Abdurashid Mavlonov;Jakapan Chantana;Yu Kawano;and Takashi Minemoto
  • 通讯作者:
    and Takashi Minemoto
Device peeling technique and function development for thin-films compound solar cells
薄膜化合物太阳能电池器件剥离技术及功能开发
  • DOI:
    10.11470/oubutsu.91.1_27
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西村 昂人;峯元 高志
  • 通讯作者:
    峯元 高志
Silver-alloyed wide-gap CuGaSe2 solar cells
银合金宽禁带 CuGaSe2 太阳能电池
  • DOI:
    10.1016/j.solener.2021.10.055
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    Nishimura Takahito;Doi Atsuya;Chantana Jakapan;Mavlonov Abdurashid;Kawano Yu;Minemoto Takashi
  • 通讯作者:
    Minemoto Takashi
両面受光-軽量型Cu(In,Ga)Se2太陽電池を志向したMoSe2原子層間剥離によるLift-off法の開発
开发利用MoSe2原子层剥离的剥离方法用于双面光接收和轻质Cu(In,Ga)Se2太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西村 昂人;濱田 尚澄;Jakapan Chantana;Abdurashid Mavlonov;河野悠;増田 泰造;峯元 高志
  • 通讯作者:
    峯元 高志
Device design for high-performance bifacial Cu(In,Ga)Se2 solar cells under front and rear illuminations
前后光照下高性能双面Cu(In,Ga)Se2太阳能电池器件设计
  • DOI:
    10.1016/j.solener.2021.01.075
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    Nishimura Takahito;Chantana Jakapan;Mavlonov Abdurashid;Kawano Yu;Masuda Taizo;Minemoto Takashi
  • 通讯作者:
    Minemoto Takashi
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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    10.1002/crat.202200145
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    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Egyna Dwinanri;Ito Satoru;Nishimura Takahito;Yamada Akira
  • 通讯作者:
    Yamada Akira
Physical and chemical aspects at the interface and in the bulk of CuInSe2-based thin-film photovoltaics
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
    Terada Norio

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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