Development of Peelable and Coupleable Absorber with Optimum Bandgap for Tandem Solar Cells

用于串联太阳能电池的具有最佳带隙的可剥离和可耦合吸收体的开发

基本信息

  • 批准号：
    20K14780
  • 负责人：
    Nishimura Takahito
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    Ritsumeikan University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2020
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Peeling Technique by Two-Dimensional MoSe2 Atomic Layer for Bifacial-Flexible Cu(In,Ga)Se2 solar cells
双面柔性Cu(In,Ga)Se2太阳能电池二维MoSe2原子层剥离技术
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takahito Nishimura*;Abdurashid Mavlonov;Jakapan Chantana;Yu Kawano;and Takashi Minemoto
  • 通讯作者：
    and Takashi Minemoto
Device peeling technique and function development for thin-films compound solar cells
薄膜化合物太阳能电池器件剥离技术及功能开发
  • DOI：
    10.11470/oubutsu.91.1_27
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Oyo Buturi
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    西村 昂人;峯元 高志
  • 通讯作者：
    峯元 高志
Silver-alloyed wide-gap CuGaSe2 solar cells
银合金宽禁带 CuGaSe2 太阳能电池
  • DOI：
    10.1016/j.solener.2021.10.055
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Solar Energy
  • 影响因子：
    6.7
  • 作者：
    Nishimura Takahito;Doi Atsuya;Chantana Jakapan;Mavlonov Abdurashid;Kawano Yu;Minemoto Takashi
  • 通讯作者：
    Minemoto Takashi
両面受光-軽量型Cu(In,Ga)Se2太陽電池を志向したMoSe2原子層間剥離によるLift-off法の開発
开发利用MoSe2原子层剥离的剥离方法用于双面光接收和轻质Cu(In,Ga)Se2太阳能电池
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    西村 昂人;濱田 尚澄;Jakapan Chantana;Abdurashid Mavlonov;河野悠;増田 泰造;峯元 高志
  • 通讯作者：
    峯元 高志
Device design for high-performance bifacial Cu(In,Ga)Se2 solar cells under front and rear illuminations
前后光照下高性能双面Cu(In,Ga)Se2太阳能电池器件设计
  • DOI：
    10.1016/j.solener.2021.01.075
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Solar Energy
  • 影响因子：
    6.7
  • 作者：
    Nishimura Takahito;Chantana Jakapan;Mavlonov Abdurashid;Kawano Yu;Masuda Taizo;Minemoto Takashi
  • 通讯作者：
    Minemoto Takashi
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Nishimura Takahito其他文献

Growth of Zn‐Ge‐O Thin‐Film as a Transparent Conductive Oxide Buffer Material for Chalcopyrite Solar Cell
Zn-Ge-O 薄膜作为黄铜矿太阳能电池透明导电氧化物缓冲材料的生长
  • DOI：
    10.1002/crat.202200145
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Crystal Research and Technology
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Egyna Dwinanri;Ito Satoru;Nishimura Takahito;Yamada Akira
  • 通讯作者：
    Yamada Akira
Physical and chemical aspects at the interface and in the bulk of CuInSe2-based thin-film photovoltaics
CuInSe2 基薄膜光伏电池界面和主体的物理和化学方面
  • DOI：
    10.1039/d1cp04495h
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Physical Chemistry Chemical Physics
  • 影响因子：
    3.3
  • 作者：
    Ishizuka Shogo;Nishinaga Jiro;Beppu Kosuke;Maeda Tsuyoshi;Aoyagi Fuuka;Wada Takahiro;Yamada Akira;Chantana Jakapan;Nishimura Takahito;Minemoto Takashi;Islam Muhammad Monirul;Sakurai Takeaki;Terada Norio
  • 通讯作者：
    Terada Norio

Nishimura Takahito的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

相似海外基金

カルコパイライト系化合物半導体中アルカリ金属誘起酸化効果の理解の深化と特性改善
加深对碱金属诱导氧化效应的认识并改善黄铜矿基化合物半导体的性能
  • 批准号：
    24K08256
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Stream 2: South Wales Compound Semiconductor Place Based Impact Accelerator
分流 2：南威尔士化合物半导体地方影响加速器
  • 批准号：
    EP/Y024184/1
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Research Grant
MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士（博士升读 1 3）
  • 批准号：
    2888740
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
  • 批准号：
    2881704
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
  • 批准号：
    2882476
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
  • 批准号：
    2881702
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
Development and application of compound semiconductor monolithic advanced unitary conversion photonic integrated circuits
化合物半导体单片先进单一转换光子集成电路的开发与应用
  • 批准号：
    23H00272
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of active gate drivers for compound-semiconductor-based Net Zero energy systems
为基于化合物半导体的净零能源系统开发有源栅极驱动器
  • 批准号：
    2888285
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
  • 批准号：
    2882390
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
  • 批准号：
    2882400
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了