Output power improvement of microchip deep-ultraviolet laser diodes for innovative manufacturing systems
用于创新制造系统的微芯片深紫外激光二极管的输出功率提高
基本信息
- 批准号:21H04560
- 负责人:
- 金额:$ 26.71万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-05 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
深紫外LDは不純物無添加型分極ドーピングクラッド層の導入によりレーザー発振を実現した。しかし、nsオーダーの短いパルス電流注入での発振にとどまっている。これは従来の窒化物半導体LDと比較して、閾値電流密度が非常に高いためである。そこで本年度は、深紫外LDにおける閾値上昇の要因を検討した。まずLDに含まれる六角形形状の異常成長に着目した。これらの領域を含んだ共振器では閾値電流密度が上昇する。これらの影響を検討するために、光学特性・電気特性・構造解析といった多角的な手法を用いて諸特性の解析を行った。その結果、異常成長領域はLEDモードでは非常に強い発光強度を持つことを示した。CL測定において発光層の発光波長や分布を観測したところ、異常成長の発光波長は長波長化すること、および発光強度は低減することが示された。そこでエミッション顕微鏡・コンダクティブAFMを用いて電気特性評価を行ったところ、異常成長領域への電流集中が観測された。以上のことから異常成長により電流注入不均一が発生し不均一な発光分布が局所的に形成されることや、異常成長領域のバンドギャップが小さいことで共振器内で吸収が発生することにより、閾値電流密度が上昇することが明らかとなった。次にプロセス起因で発生する発光不均一に着目した。これらデバイス作製中の熱処理プロセスで発生し、閾値電流密度を大きく上昇させる。これは応力解放により形成される可能性が高いと考えられたことから、構造解析や抑制可能なデバイス構造やプロセスの検討を実施した。この根本原因の解決は閾値電流密度の上昇を抑制し、高出力化を実現するために必須であることから、来年度も継続して実施予定である。
The addition of deep ultraviolet LD is very sensitive to the presence of organic matter. The short-term current is injected into the generator and the ns is injected into the generator. The density of asphyxiated semi-solid LD is very high, and the current density is very high. In the current year, the deep ultraviolet LD is very important because of the high temperature. The shape of the hexagonal LD is always growing and watching. In the field of high voltage, there is a high density of current in the resonator. In order to analyze the characteristics of optical properties, optical The results show that the intensity of light is very strong in the field of LED growth. CL is used to determine the distribution of optical wave length of optical fiber, the wavelength of optical wave is longer and longer, and the intensity of luminous light is longer than that of ordinary growth photoluminescence. It is necessary to use the characteristics of AFM in the field of continuous growth and growth in the field of environmental protection. The above-mentioned electrical currents are injected into the non-uniform and uneven luminous distributions in the field of environmental pollution. In the field of environmental growth, the ambient temperature in the resonator is high, and the density of electrical current is higher than that in the resonator. The reason for this is that the light is not uniform and the light is not uniform. In the middle of the operation, it is necessary to make sure that the current density is high and the current density is high. There is a high probability of the formation of a high probability that it is possible to reduce the possibility that you may be able to do so. In order to solve the root cause, it is necessary to reduce the current density and increase the current density in the coming year.
项目成果
期刊论文数量(26)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
UV-C LDs fabricated on AlN Substrates
在 AlN 基板上制造的 UV-C LD
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Maki Kushimoto;Ziyi Zhang;Leo Schowalter;Yoshio Honda;Chiaki Sasaoka;Hiroshi Amano
- 通讯作者:Hiroshi Amano
Impact of heat treatment process on threshold current density in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes on AlN substrate
- DOI:10.35848/1882-0786/abf443
- 发表时间:2021-05-01
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Kushimoto, Maki;Zhang, Ziyi;Amano, Hiroshi
- 通讯作者:Amano, Hiroshi
Development of polarization doped UVC LDs on AlN substrates
在 AlN 基底上开发偏振掺杂 UVC LD
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Kushimoto;Z. Zhang;N. Sugiyama;L. J. Schowalter;Y. Honda;C. Sasaoka;and H. Amano
- 通讯作者:and H. Amano
Reducing the Threshold Current Density of Deep UV LDs on AlN Substrate
降低 AlN 基板上深紫外 LD 的阈值电流密度
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Maki Kushimoto;Ziyi Zhang;Yoshio Honda;Leo Schowalter;Chiaki Sasaoka;Hiroshi Amano
- 通讯作者:Hiroshi Amano
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
久志本 真希其他文献
InGaN 系光デバイスの成長と特性評価
InGaN 基光学器件的生长和表征
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
本田 善央;田村 彰;山本 哲也;李 昇我;久志本 真希;天野浩 - 通讯作者:
天野浩
デジタルデータによる芸術的感性の表現について
关于使用数字数据表达艺术情感
- DOI:
- 发表时间:
2014 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
本田 善央;田村 彰;山本 哲也;久志本 真希;天野 浩;石黒 浩;源田悦夫 - 通讯作者:
源田悦夫
GaNにおける放射線検出特性の実験的評価(2)
GaN辐射探测特性的实验评估(2)
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
杉浦 睦仁;久志本 真希;光成 正;山下 康平;本田 善央;天野 浩;三村 秀典;井上 翼;青木 徹;中野 貴之 - 通讯作者:
中野 貴之
GaN 自立基板上pn ダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性II
GaN自支撑衬底上PN二极管反向漏电流的生长条件依赖性II
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
宇佐美 茂佳;福島 颯太;安藤 悠人;田中 敦之;久志本 真希;出来 真斗;新田 州吾;本田 善央;天野 浩 - 通讯作者:
天野 浩
異なる InGaN 膜厚の (1-101)GaN 基板上太陽電池の作製
不同InGaN膜厚的(1-101)GaN衬底上太阳能电池的制作
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
久志本 真希;宇佐美 茂佳;出来真斗;本田 善央;天野 浩 - 通讯作者:
天野 浩
久志本 真希的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('久志本 真希', 18)}}的其他基金
半極性面窒化物半導体を用いた発光デバイスに関する研究
使用半极性面氮化物半导体的发光器件的研究
- 批准号:
14J03143 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
- 批准号:
2336525 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
- 批准号:
2335175 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Cooperative Agreement
Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
- 批准号:
DP240102230 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Discovery Projects
Collaborative Research: A Semiconductor Curriculum and Learning Framework for High-Schoolers Using Artificial Intelligence, Game Modules, and Hands-on Experiences
协作研究:利用人工智能、游戏模块和实践经验为高中生提供半导体课程和学习框架
- 批准号:
2342747 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Standard Grant
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
- 批准号:
10099437 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
EU-Funded
RII Track-4: NSF: Development of Semiconductor Lasers and Passive Devices on a Single Sapphire Platform for Integrated Microwave Photonics
RII Track-4:NSF:在单个蓝宝石平台上开发用于集成微波光子学的半导体激光器和无源器件
- 批准号:
2327229 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: All-Semiconductor Nanostructured Lenses for High-Tech Industries
SBIR 第一阶段:用于高科技行业的全半导体纳米结构镜头
- 批准号:
2335588 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Standard Grant
NSF Engines: Central Florida Semiconductor Innovation Engine
NSF 引擎:佛罗里达州中部半导体创新引擎
- 批准号:
2315320 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Cooperative Agreement
ERI: A Machine Learning Framework for Preventing Cracking in Semiconductor Materials
ERI:防止半导体材料破裂的机器学习框架
- 批准号:
2347035 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Standard Grant
有機半導体レーザーの特性評価と高度化
有机半导体激光器的特性评价及进展
- 批准号:
23K21076 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 26.71万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)














{{item.name}}会员




