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Development of low-loss inversion channel diamond MOSFET using nitrogen doping

Development of low-loss inversion channel diamond MOSFET using nitrogen doping
使用氮掺杂开发低损耗反型沟道金刚石 MOSFET
批准号：
19K15042
负责人：
Matsumoto Tsubasa
金额：
$2.75万
依托单位：
Kanazawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15042/
关键词：
ダイヤモンドMOSFETパワーデバイスMOS反転層高周波

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DOI： 10.1063/5.0021785
发表时间： 2020
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Mitsuru Sometani, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, Takao Inokuma, and Norio Tokuda]
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [T.Matsumoto,　U.Sakurai, T.Yamakawa, H.Kato, T.Makino, M.Ogura, D.Takeuchi, S.Yamasaki, T.Inokuma, N.Tokuda,]
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发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 松本 翼,　桜井 海匡,加藤 宙光,　牧野 俊晴,　小倉 政彦,　竹内 大輔,　 山崎 聡,　猪熊 孝夫,　徳田 規夫
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [松本 翼, 桜井 海匡，山河 智哉, 加藤 宙光, 牧野 俊晴, 小倉 政彦, 竹内 大輔, 猪熊 孝夫, 山崎 聡, 徳田 規夫]
通讯作者： 徳田 規夫
共 9 条
    国内基金
    海外基金
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号：
      2026JJ60454
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      桂庆忠
    • 依托单位：
      湖南大学
    SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      于安宁
    • 依托单位：
      重庆科技大学
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    • 批准号：
      62504045
    • 项目类别：
      青年科学基金项目（C类）
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      许晓锐
    • 依托单位：
      福州大学