Development of low-loss inversion channel diamond MOSFET using nitrogen doping

使用氮掺杂开发低损耗反型沟道金刚石 MOSFET

基本信息

  • 批准号:
    19K15042
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Ukyo Sakurai;Toshiharu Makino;Masahiko Ogura;Mitsuru Sometani;Satoshi Yamasaki;Christoph E. Nebel;Takao Inokuma;and Norio Tokuda
  • 通讯作者:
    and Norio Tokuda
Recent progress for inversion channel mobility improvement in diamond MOSFETs
金刚石 MOSFET 反转沟道迁移率改进的最新进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Matsumoto, U.Sakurai;T.Yamakawa;H.Kato;T.Makino;M.Ogura;D.Takeuchi;S.Yamasaki;T.Inokuma;N.Tokuda,
  • 通讯作者:
    N.Tokuda,
ダイヤモンドデバイスとMOS界面の現状
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Wenhui Luo;Naoki Takeuchi;Olivia Chen;松本 翼, 桜井 海匡,加藤 宙光, 牧野 俊晴, 小倉 政彦, 竹内 大輔,  山崎 聡, 猪熊 孝夫, 徳田 規夫
  • 通讯作者:
    松本 翼, 桜井 海匡,加藤 宙光, 牧野 俊晴, 小倉 政彦, 竹内 大輔,  山崎 聡, 猪熊 孝夫, 徳田 規夫
窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性
采用氮掺杂体的反型层金刚石 MOSFET 的特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松本 翼;桜井 海匡,山河 智哉;加藤 宙光;牧野 俊晴;小倉 政彦;竹内 大輔;猪熊 孝夫;山崎 聡;徳田 規夫
  • 通讯作者:
    徳田 規夫
Inversion channel MOSFET on heteroepitaxially grown free-standing diamond
  • DOI:
    10.1016/j.carbon.2020.11.072
  • 发表时间:
    2020-12
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.9
  • 作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Y. Nakano;H. Noguchi;H. Kato;T. Makino;D. Takeuchi;M. Ogura;S. Yamasaki;C. Nebel;T. Inokuma;N. Tokuda
  • 通讯作者:
    Xufang Zhang;Tsubasa Matsumoto;Y. Nakano;H. Noguchi;H. Kato;T. Makino;D. Takeuchi;M. Ogura;S. Yamasaki;C. Nebel;T. Inokuma;N. Tokuda
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 通讯作者:
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  • DOI:
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  • 通讯作者:
    雨宮裕樹,花田研太,杉本謙二
Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers with step-free surfaces in N doped diamond (1 1 1) by homoepitaxial lateral growth
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  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    Kobayashi Kazuki;Zhang Xufang;Makino Toshiharu;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Tokuda Norio
  • 通讯作者:
    Tokuda Norio

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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知道了