Deep ultraviolet light emitting diode using h-BN ultrathin film
Deep ultraviolet light emitting diode using h-BN ultrathin film
批准号:
19K15443
负责人:
Ichinokura Satoru
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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Li-インターカレーションによる 単層グラフェン/SiC(0001)の二層化とフラットバンドの占有
单层石墨烯/SiC(0001)的双层和锂嵌入占据平带
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[橋爪瑞葵, 一ノ倉聖, 豊田雅之, 日下翔太郎, 出田真一郎, 田中清尚, 清水亮太, 一杉太郎, 斎藤晋, 平原徹]
通讯作者:
平原徹
チューリッヒ大学(スイス)
苏黎世大学(瑞士)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Local Effect of Surface Reconstruction on Superconducting Monolayer FeSe on SrTiO3 √13×√13
SrTiO3 上单层 FeSe 表面重构的局部效应 √13×√13
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[SI WEN, TOMOAKI TANAKA, SATORU ICHINOKURA, TORU HIRAHARA]
通讯作者:
TORU HIRAHARA
アルカリ金属蒸着によるRh薄膜上単原子層hBNの価電子帯シフト
碱金属沉积法在 Rh 薄膜上单原子层 hBN 的价带移动
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[一ノ倉聖, Adrian Hemmi, 清水亮太,一杉太郎,Thomas Greber, 平原徹]
通讯作者:
平原徹
LiインターカレートしたSiC上のグラフェンの層数制御によるリフシッツ転移の観測
通过控制嵌锂 SiC 上石墨烯层数观察 Lifshitz 转变
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[橋爪瑞葵, 一ノ倉聖, 清水亮太, 一杉太郎, 平原徹]
通讯作者:
平原徹
共 29 条
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