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Elucidation and control of hole spin dynamics in quantum structures
量子结构中空穴自旋动力学的阐明和控制
基本信息
- 批准号：20H00237
- 负责人：
- 金额：$ 29.12万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（98）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Contact Pad Designs for Semiconductor Qubit Devices for Reducing On-chip Microwave Crosstalk
用于减少片上微波串扰的半导体量子位器件的接触垫设计
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Tomari;J. Yoneda;T. Kodera
- 通讯作者：T. Kodera
トンネル結合した電荷センサを持つ物理形成シリコン量子ドットの特性評価
使用隧道耦合电荷传感器表征物理形成的硅量子点
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：溝口 来成;西山 伸平;加藤 公彦;柳 永勛;森 貴洋;小寺 哲夫
- 通讯作者：小寺 哲夫
単一データライン上の量子ドット状態読み出しに向けた信号多重化についての研究
单数据线上量子点状态读出的信号复用研究
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：平山 勝登;溝口 来成;田所 雅大;小寺 哲夫
- 通讯作者：小寺 哲夫
スピン量子ビット読み出し回路高密度化に向けた極低温アクティブイ ンダクタに関する研究
高密度自旋量子位读出电路低温有源电感器研究
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：二谷 時緒;溝口 来成;神岡 純;米田 淳;小寺 哲夫
- 通讯作者：小寺 哲夫
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KODERA Tetsuo其他文献
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{{ truncateString('KODERA Tetsuo', 18)}}的其他基金
Development of electron spin qubits using silicon quantum dots
使用硅量子点开发电子自旋量子位
- 批准号：
21710137 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
高圧相変態が拓くシリコン―ゲルマニウム合金の結晶多型と新奇物性解明
阐明高压相变开发的硅锗合金的晶体多态性和新的物理性能
- 批准号：
23K26405 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Exploring spin coherence engineering in group IV semiconductor quantum structures
探索 IV 族半导体量子结构中的自旋相干工程
- 批准号：
23H05455 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
二维锗晶体异质结构形成及电子性质控制
- 批准号：
22H01524 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ピラミッド光電変換層が拓くギガ秒イメージング
金字塔光电转换层开创千兆秒成像
- 批准号：
22K18797 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
自由に組成制御されたスズ系三元半導体混晶の開発と熱電発電応用の検討
成分自由控制的锡基三元半导体混晶的开发及温差发电应用研究
- 批准号：
21K04137 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Investigation on the interface states at strained Si/SiO2 interfaces formed on Si(110) substrates
Si(110) 衬底上应变 Si/SiO2 界面的界面态研究
- 批准号：
21K04900 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of vertical HEMT-type devices using Si-Ge core-shell heterojunction nanowires
使用Si-Ge核壳异质结纳米线开发垂直HEMT型器件
- 批准号：
21H04642 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of monolithic type pixel detector to search for axion like particle
开发单片式像素探测器来寻找轴子类粒子
- 批准号：
20K04004 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
溶融パッチ状半導体薄膜の球状粒子への連続変形と真球化
熔融的片状半导体薄膜连续变形为球形颗粒并球化
- 批准号：
20K05351 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
氧化硅嵌入Ge二维晶体的形成及其器件应用
- 批准号：
20K21142 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 29.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)