Elucidation and control of hole spin dynamics in quantum structures

量子结构中空穴自旋动力学的阐明和控制

基本信息

  • 批准号:
    20H00237
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 29.12万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(98)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
日立ケンブリッジ研究所(英国)
日立剑桥研究所(英国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Contact Pad Designs for Semiconductor Qubit Devices for Reducing On-chip Microwave Crosstalk
用于减少片上微波串扰的半导体量子位器件的接触垫设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Tomari;J. Yoneda;T. Kodera
  • 通讯作者:
    T. Kodera
トンネル結合した電荷センサを持つ物理形成シリコン量子ドットの特性評価
使用隧道耦合电荷传感器表征物理形成的硅量子点
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    溝口 来成;西山 伸平;加藤 公彦;柳 永勛;森 貴洋;小寺 哲夫
  • 通讯作者:
    小寺 哲夫
単一データライン上の量子ドット状態読み出しに向けた信号多重化についての研究
单数据线上量子点状态读出的信号复用研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    平山 勝登;溝口 来成;田所 雅大;小寺 哲夫
  • 通讯作者:
    小寺 哲夫
ミックスモード伝送による RF 反射測定のクロストーク 低減
通过混合模式传输减少射频反射测量中的串扰
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    町田 理人;溝口 来成;米田 淳;戸村 崇;小寺 哲夫
  • 通讯作者:
    小寺 哲夫
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KODERA Tetsuo其他文献

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Development of electron spin qubits using silicon quantum dots
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    $ 29.12万
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    2022
  • 资助金额:
    $ 29.12万
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    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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    2021
  • 资助金额:
    $ 29.12万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Investigation on the interface states at strained Si/SiO2 interfaces formed on Si(110) substrates
Si(110) 衬底上应变 Si/SiO2 界面的界面态研究
  • 批准号:
    21K04900
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 29.12万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    21H04642
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 29.12万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of monolithic type pixel detector to search for axion like particle
开发单片式像素探测器来寻找轴子类粒子
  • 批准号:
    20K04004
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 29.12万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
溶融パッチ状半導体薄膜の球状粒子への連続変形と真球化
熔融的片状半导体薄膜连续变形为球形颗粒并球化
  • 批准号:
    20K05351
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 29.12万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
氧化硅嵌入Ge二维晶体的形成及其器件应用
  • 批准号:
    20K21142
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 29.12万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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