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Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application

Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
氧化硅嵌入Ge二维晶体的形成及其器件应用
批准号：
20K21142
负责人：
Ohta Akio
金额：
$4.16万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-07-30 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K21142/
关键词：
ゲルマニウム二次元結晶化学構造拡散・偏析共晶反応電子物性表面偏析ゲルマネンシリコン酸化膜

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Ag/Ge 構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge 結晶形成
通过表面偏析控制和 Ag/Ge 结构平坦化形成超薄 Ge 晶体
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [大田 晃生, 山田 憲蔵, 須川 響, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮﨑 誠一]
通讯作者： 宮﨑 誠一
熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御
Al 和 Ag/Ge(111) 热处理超薄 Ge 形成及层厚控制
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [大田 晃生, 松下 圭吾, 田岡 紀之, 牧原 克典, 宮﨑 誠一]
通讯作者： 宮﨑 誠一
Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111)
通过 Ge(111) 上的 Al(111) 薄膜偏析形成单锗烯相
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发表时间： 2021
期刊： 2D Materials
影响因子： 5.5
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通讯作者： Lay Guy Le
Segregation control for ultrathin Ge layer in Al/Ge(111) system
Al/Ge(111)体系中超薄Ge层的偏析控制
DOI： 10.35848/1347-4065/ac19ff
发表时间： 2021
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Ohta Akio, Kobayashi Masato, Taoka Noriyuki, Ikeda Mistuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi]
通讯作者： Miyazaki Seiichi
共 8 条
    Formation and Characterization of Germanium Two-Dimensional Crystal on Insulating Substrate
    • 批准号：
      19H02169
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.98万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Ohta Akio
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Self-organized Formation of Ge-based Two-dimensional Crystals and Control of Crystalline Structure and Electronic State
    • 批准号：
      18K19020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Ohta Akio
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Study on defect distribution and resistive switching behaviors of Si oxide thin films
    • 批准号：
      15H05520
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $14.89万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Ohta Akio
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Growth and Characterization of Silicon-based Two-Dimensional Materials
    • 批准号：
      15K13943
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Ohta Akio
    • 依托单位：
      Nagoya University
    海外基金