Investigation of steep-slope transistor using ferroelectric polarization dynamics
Investigation of steep-slope transistor using ferroelectric polarization dynamics
利用铁电极化动力学研究陡坡晶体管
批准号：
20H00240
负责人：
Tokumitsu Eisuke
金额：
$29.12万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Variable-area capacitors controlled by HfO2-based ferroelectric-gate field-effect transistors
由 HfO2 基铁电栅极场效应晶体管控制的可变面积电容器
由 HfO2 基铁电栅极场效应晶体管控制的可变面积电容器
DOI：
10.1063/5.0089049
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Miyasako Takaaki, Yoneda Shingo, Hosokura Tadasu, Kimura Masahiko, Tokumitsu Eisuke]
通讯作者：
Tokumitsu Eisuke
溶液プロセスによる薄膜CeOx/(Hf,Zr)O2/CeOx積層構造の形成
溶液法形成薄膜CeOx/(Hf,Zr)O2/CeOx叠层结构
溶液法形成薄膜CeOx/(Hf,Zr)O2/CeOx叠层结构
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[齋藤 瑞, モヒート, 東嶺 孝一, 徳光 永輔]
通讯作者：
徳光 永輔
Fabrication of Indium-Tin-Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Dioxide by Chemical Solution Process
化学溶液法用钇掺杂二氧化铪锆制备氧化铟锡沟道铁电栅薄膜晶体管
化学溶液法用钇掺杂二氧化铪锆制备氧化铟锡沟道铁电栅薄膜晶体管
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mohit, Takaaki Miyasako and Eisuke Tokumitsu]
通讯作者：
Takaaki Miyasako and Eisuke Tokumitsu
Formation Process of Metastable Phases of Al-Doped HfO2 Films Directly on Si by Atomic Layer Deposition
原子层沉积直接在Si上形成Al掺杂HfO2薄膜亚稳相的过程
原子层沉积直接在Si上形成Al掺杂HfO2薄膜亚稳相的过程
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shuya Takarae, Kenshi Takada, Yuki Saho, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura]
通讯作者：
Norifumi Fujimura
DOI：
10.1063/5.0058127
发表时间：
2021-08-30
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Hasan, Md Mehedi, Mohit, Jang, Jin]
通讯作者：
Jang, Jin
共 58 条
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