シリコン(110)-(1×1)表面の非線形エッチング過程の解明
シリコン(110)-(1×1)表面の非線形エッチング過程の解明
硅(110)-(1×1)表面非线性刻蚀过程的阐明
批准号：
20H00907
负责人：
Haga Kenya
金额：
$0.31万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 – 至 --
关键词：
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