Understanding the synthesis and electronic behavior of beta tungsten thin film materials
Understanding the synthesis and electronic behavior of beta tungsten thin film materials
批准号:
20H02638
负责人:
Lee HeunTae
金额:
$11.07万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2020-04-01 至 2025-03-31
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令和4年度の研究実績は下記のとおりである。1) レーザー誘起蛍光法計測システムを構築した。この方法を用いてアルゴン(Ar)の圧力がタングステン(W)中性粒子の速度分布に及ぼす影響を調査した。その結果、Ar圧力が減少すると熱的W粒子と高速W粒子の割合が減少することが分かった。Ar圧力が減少するとα-Wからβ-Wに結晶構造が変化することから、W中性粒子の速度分布が構造に及ぼす影響を明らかにした。W中性粒子の挙動をモデリングするため、W源であるWターゲットの表面結晶方位がスパッタリング率に及ぼす影響をより詳しく調べた。また、機械学習によるWスパッタリング率の角度依存性の予測も評価した。2)巨大なスピンホール効果が予想されているA15構造を持つW-タンタル薄膜(W3Ta)の成膜にチャレンジした。様々な成膜条件で薄膜を合成し、結晶構造とTa/Wの組成率を評価した。その結果Ta/Wの組成率が0.02以上増加すると、A15構造からbcc構造に変化することが分かった。3) 昨年度第一原理計算を用いて、β-Wよりα-Wの方が水素不純物の結合エネルギーが高いことを明らかにした。これを受けて、まずα-W中の欠陥と水素の相互作用を実験的に調べた。純Wの結晶粒と粒界分布が水素の吸増量に及ぼす影響が弱いことを明らかにした。また、巨大なスピンホール効果が予想されていW-レニウム(Re)合金中のReと水素の相互作用を明らかにするため、W-Re合金の水素吸増量も評価した。温度が600 K以下の領域ではW-Reと純Wの吸増量が良く一致したことから、Reと水素の相互作用は弱いと考えられた。4) 薄膜の残力により生じる塑性変形損傷 (亀裂等) を評価するため、機械学習を用いてW中の亀裂発生に起因するアコースティックエミッション信号の分類を行った。その結果、亀裂が発生する位置(中心と周辺)を分類することができた。
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University of the Philippines, Los Banos(フィリピン)
菲律宾洛斯巴尼奥斯大学(菲律宾)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
機械学習によるスパッタリング率の角度依存性の予測
通过机器学习预测溅射速率的角度依赖性
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[齋藤佑真, 南英俊, 湯原拓也, 菊隆太, 桑野玄気, 柏木隆成, 辻本学, 門脇和男, 小野耀斗,伊庭野健造,上田良夫,リハンテ]
通讯作者:
小野耀斗,伊庭野健造,上田良夫,リハンテ
β-W薄膜の結晶構造に対する成膜基板温度および Wターゲット距離の影響
沉积衬底温度和W靶距对β-W薄膜晶体结构的影响
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[山中智貴, H.T. Lee, 伊庭野健造 , 上田良夫]
通讯作者:
上田良夫
タングステンスパッタリング率の結晶方位依存性
钨溅射速率的晶体取向依赖性
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[横尾 尚典, 田部 亜季, 中木戸 誠, 長門石 曉, カアベイロ ホセ, 吉田 瑶子, 池田 洋一郎, 南学 正臣, 津本 浩平, 五十嵐 龍治, 鈴木雅也,Lee Heun Tae,上田良夫,伊庭野健造,松田直也,瀧田朋広,中林誠治]
通讯作者:
鈴木雅也,Lee Heun Tae,上田良夫,伊庭野健造,松田直也,瀧田朋広,中林誠治
The Effect of crystal Orientation Distribution on Sputtering Rates in Polycrystalline Tungsten by Low Energy Ar Plasma
低能Ar等离子体晶体取向分布对多晶钨溅射速率的影响
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[B.D. Hattingh, H.T. Lee, K. Ibano, Y. Ueda]
通讯作者:
Y. Ueda
共 7 条
Understanding the synthesis and electronic behavior of beta tungsten thin film materials
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批准号:23K20274
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$0.83万
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财政年份:2024
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负责人:Lee HeunTae
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依托单位:
国内基金
海外基金
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高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
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批准号:
-
项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:王晓丽
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依托单位:
汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:林改
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依托单位:
基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
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批准号:JCZRMS202600414
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
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批准号:2026JJ50456
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:谭彦妮
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依托单位:
二维卤化物铁电钙钛矿电子态及电子输运性质研究与调控
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批准号:2026JJ50114
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:刘标
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依托单位:
(BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
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批准号:2026JJ50115
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:陈智慧
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依托单位:
基于光交联的高稳定性图案化电致变色薄膜及其多色显示器件
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批准号:ZCLMS26E0302
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:李锦
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依托单位:
用于粉体农药包装PVA薄膜的研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:丁长明
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依托单位:
智能化柔性光电薄膜材料精准制备平台
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批准号:JCZRMS202601078
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
钙钛矿准单晶薄膜的原子级气相沉积及其太阳能电池研究
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批准号:JCZRQNA202600009
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位: