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Relationship between 2D-nucleation and long crystal growth in solution growth of SiC without molten silicon.

Relationship between 2D-nucleation and long crystal growth in solution growth of SiC without molten silicon.
无熔融硅溶液生长 SiC 时二维成核与长晶体生长之间的关系。
批准号：
20H02637
负责人：
Taishi Toshinori
金额：
$10.32万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02637/
关键词：
炭化ケイ素（SiC）溶液成長金属溶媒接触角平坦成長二次元核形成エネルギー炭化ケイ素長尺成長SiC表面エネルギー

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通讯作者： 各務 祐気，山本 周一，内田 龍之介，太子 敏則
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通讯作者： TAISHI Toshinori
共 10 条
    Solution growth of SiC by improved TSSG technique from metal solvent using SiC ceramics
    • 批准号：
      16K04947
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Taishi Toshinori
    • 依托单位：
      Shinshu University
    海外基金