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Relationship between 2D-nucleation and long crystal growth in solution growth of SiC without molten silicon.
无熔融硅溶液生长 SiC 时二维成核与长晶体生长之间的关系。
基本信息
- 批准号：20H02637
- 负责人：
- 金额：$ 10.32万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
液相Siを用いたSiCセラミックス全面への多結晶SiCコーティング
使用液相Si在SiC陶瓷整个表面上进行多晶SiC涂层
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Honda;K. Yamane;K. Iwasa;K. Oka;Y. Toda;R. Morita;各務 祐気，山本 周一，内田 龍之介，太子 敏則
- 通讯作者：各務 祐気，山本 周一，内田 龍之介，太子 敏則
液相シリコンとメタンによる多結晶SiC コーティング
液态硅和甲烷的多晶 SiC 涂层
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：内田 龍之介;各務 祐気;山本 周一;太子 敏則
- 通讯作者：太子 敏則
Cr溶媒からのSiC溶液成長における金属溶媒添加効果と表面形態
金属溶剂添加和表面形貌对 Cr 溶剂中 SiC 溶液生长的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：尾関 克哉;岩井 智哉;太子 敏則
- 通讯作者：太子 敏則
Polycrystalline SiC coating on large-sized SiC ceramics using Si vapor
使用 Si 蒸气在大尺寸 SiC 陶瓷上形成多晶 SiC 涂层
- DOI：10.2109/jcersj2.21121
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：1.1
- 作者：KAGAMI Yuuki;YAMAMOTO Syuuichi;YOKOBAYASHI Yuta;UCHIDA Ryunosuke;SUZUKI Koki;TARUTA Seiichi;TAISHI Toshinori
- 通讯作者：TAISHI Toshinori
バルク単結晶およびその育成技術からの新たな研究アプローチ
基于块状单晶及其生长技术的新研究方法
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：今村薫平;水上雄太;吉田悠生;橋本顕一郎;栗田伸之;田中秀数;藤本聡;山田昌彦;松田祐司;E.-G. Moon;芝内孝禎;太子敏則
- 通讯作者：太子敏則
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Taishi Toshinori其他文献
Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent
碳不饱和状态下溶剂浸渍坩埚底部固溶生长SiC
- DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.51 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Taishi Toshinori;Takahashi Masaru;Tsuchimoto Naomichi;Suzuki Koki;Hyun Koang Yong - 通讯作者：
Hyun Koang Yong
Effect of the Growth Conditions on the Crystal Quality in Solution Growth of SiC Using Cr Solvent without Molten Si
无熔硅Cr溶剂固溶生长SiC生长条件对晶体质量的影响
- DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.35 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suzuki Koki;Hyun Koang Yong;Taishi Toshinori - 通讯作者：
Taishi Toshinori
Anisotropic Superconducting Properties of Noncentrosymmetric PbTaSe2 as a Candidate Exotic Superconductor
非中心对称 PbTaSe2 作为候选奇异超导体的各向异性超导特性
- DOI：
10.1166/sam.2016.2832 - 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suzuki Koki;Hyun Koang Yong;Taishi Toshinori;H. Namiki and T. Sasagawa - 通讯作者：
H. Namiki and T. Sasagawa
History and Current Status of Research on Nitride Semiconductors
氮化物半导体研究的历史与现状
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suzuki Koki;Hyun Koang Yong;Taishi Toshinori;H. Namiki and T. Sasagawa;T. Matsuoka - 通讯作者：
T. Matsuoka
固液成長界面における酸化物融液の構造
固液生长界面氧化物熔体的结构
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suzuki Koki;Hyun Koang Yong;Taishi Toshinori;H. Namiki and T. Sasagawa;T. Matsuoka;宇田聡 - 通讯作者：
宇田聡
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{{ truncateString('Taishi Toshinori', 18)}}的其他基金
Solution growth of SiC by improved TSSG technique from metal solvent using SiC ceramics
使用 SiC 陶瓷通过改进的 TSSG 技术从金属溶剂中溶液生长 SiC
- 批准号：
16K04947 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス
高温溶液生长的 3DxT 成像和相场分析
- 批准号：
24H00384 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Relationship between solvation structure and crystal perfection at the molecular level for solution growth
溶液生长的分子水平上溶剂化结构与晶体完美度之间的关系
- 批准号：
21K04902 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Solution growth of SiC by improved TSSG technique from metal solvent using SiC ceramics
使用 SiC 陶瓷通过改进的 TSSG 技术从金属溶剂中溶液生长 SiC
- 批准号：
16K04947 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Rapid solution growth of SiC using 100% Cr solvent
Rapid%20solution%20growth%20of%20SiC%20using%20100%%20Cr%20溶剂
- 批准号：
16K14445 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
超高品質ＳｉＣの実現を目指した溶液成長界面のＩｎ－ｓｉｔｕ観察と原子分解能解析
溶液生长界面的原位观察和原子分辨率分析旨在实现超高质量 SiC
- 批准号：
15J11838 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Clarification of step structure formation on the solution growth interface of SiC by direct interface observation and molecular dynamics simulation
通过直接界面观察和分子动力学模拟阐明 SiC 溶液生长界面上阶梯结构的形成
- 批准号：
15H04166 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Low temperature solution growth of high quality AlN single crystal using Cr-alloy solvent
Cr合金溶剂低温溶液生长高质量AlN单晶
- 批准号：
26630376 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Determination of dynamics of SiC solution growth by real-time observation of growth interface
通过实时观察生长界面确定 SiC 溶液生长动力学
- 批准号：
24686083 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
溶液成長法によるSiC結晶の欠陥自己修復メカニズムの解明
溶液生长法阐明SiC晶体缺陷自修复机制
- 批准号：
23860025 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Ｆｅ－Ｓｉ合金溶媒を用いたｎ型、ｐ型ＳｉＣ単結晶の革新的高速溶液成長法の物理化学
使用 Fe-Si 合金溶剂的 n 型和 p 型 SiC 单晶创新高速溶液生长方法的物理化学
- 批准号：
11J10842 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 10.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows