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Solution growth of SiC by improved TSSG technique from metal solvent using SiC ceramics
使用 SiC 陶瓷通过改进的 TSSG 技术从金属溶剂中溶液生长 SiC
基本信息
- 批准号：16K04947
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent
碳不饱和状态下溶剂浸渍坩埚底部固溶生长SiC
- DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.924.51
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Taishi Toshinori;Takahashi Masaru;Tsuchimoto Naomichi;Suzuki Koki;Hyun Koang Yong
- 通讯作者：Hyun Koang Yong
溶質供給源の形状を変化させたCr単一溶媒でのSiC溶液成長
具有不同溶质源形状的 Cr 单一溶剂中 SiC 溶液的生长
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木皓己;太子敏則
- 通讯作者：太子敏則
SiC溶液成長における溶液中の炭素濃度の経時変化および成長時の非定常解析
SiC溶液生长过程中溶液中碳浓度随时间的变化以及生长过程中的不稳定分析
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kim;G. P. Khanal;H.-W. Nam;I. Fujii;S. Ueno;C. Moriyoshi;Y. Kuroiwa;and S. Wada;太子敏則
- 通讯作者：太子敏則
TSSG法によるSiC溶液成長における種子づけと溶液中の炭素濃度の関係
使用 TSSG 方法生长 SiC 溶液中晶种与溶液中碳浓度的关系
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：太子敏則;高橋大;土本直道;鈴木皓己;玄光龍
- 通讯作者：玄光龍
SiCおよび機能性バルク単結晶の育成～融液成長からのSiC溶液成長のアプローチ～
SiC和功能性大块单晶的生长〜从熔融生长到SiC溶液生长的方法〜
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：太子敏則;干川圭吾
- 通讯作者：干川圭吾
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H. Namiki and T. Sasagawa
History and Current Status of Research on Nitride Semiconductors
氮化物半导体研究的历史与现状
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
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T. Matsuoka
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无熔融硅溶液生长 SiC 时二维成核与长晶体生长之间的关系。
- 批准号：
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- 资助金额：
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$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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溶液生长的分子水平上溶剂化结构与晶体完美度之间的关系
- 批准号：
21K04902 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Relationship between 2D-nucleation and long crystal growth in solution growth of SiC without molten silicon.
无熔融硅溶液生长 SiC 时二维成核与长晶体生长之间的关系。
- 批准号：
20H02637 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Rapid solution growth of SiC using 100% Cr solvent
Rapid%20solution%20growth%20of%20SiC%20using%20100%%20Cr%20溶剂
- 批准号：
16K14445 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
超高品質ＳｉＣの実現を目指した溶液成長界面のＩｎ－ｓｉｔｕ観察と原子分解能解析
溶液生长界面的原位观察和原子分辨率分析旨在实现超高质量 SiC
- 批准号：
15J11838 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Clarification of step structure formation on the solution growth interface of SiC by direct interface observation and molecular dynamics simulation
通过直接界面观察和分子动力学模拟阐明 SiC 溶液生长界面上阶梯结构的形成
- 批准号：
15H04166 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Low temperature solution growth of high quality AlN single crystal using Cr-alloy solvent
Cr合金溶剂低温溶液生长高质量AlN单晶
- 批准号：
26630376 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Determination of dynamics of SiC solution growth by real-time observation of growth interface
通过实时观察生长界面确定 SiC 溶液生长动力学
- 批准号：
24686083 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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- 批准号：
23860025 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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使用 Fe-Si 合金溶剂的 n 型和 p 型 SiC 单晶创新高速溶液生长方法的物理化学
- 批准号：
11J10842 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows