Solution growth of SiC by improved TSSG technique from metal solvent using SiC ceramics
Solution growth of SiC by improved TSSG technique from metal solvent using SiC ceramics
使用 SiC 陶瓷通过改进的 TSSG 技术从金属溶剂中溶液生长 SiC
批准号：
16K04947
负责人：
Taishi Toshinori
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent
碳不饱和状态下溶剂浸渍坩埚底部固溶生长SiC
碳不饱和状态下溶剂浸渍坩埚底部固溶生长SiC
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.51
发表时间：
2018
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
[Taishi Toshinori, Takahashi Masaru, Tsuchimoto Naomichi, Suzuki Koki, Hyun Koang Yong]
通讯作者：
Hyun Koang Yong
溶質供給源の形状を変化させたCr単一溶媒でのSiC溶液成長
具有不同溶质源形状的 Cr 单一溶剂中 SiC 溶液的生长
具有不同溶质源形状的 Cr 单一溶剂中 SiC 溶液的生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木皓己, 太子敏則]
通讯作者：
太子敏則
SiC溶液成長における溶液中の炭素濃度の経時変化および成長時の非定常解析
SiC溶液生长过程中溶液中碳浓度随时间的变化以及生长过程中的不稳定分析
SiC溶液生长过程中溶液中碳浓度随时间的变化以及生长过程中的不稳定分析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Kim, G. P. Khanal, H.-W. Nam, I. Fujii, S. Ueno, C. Moriyoshi, Y. Kuroiwa, and S. Wada, 太子敏則]
通讯作者：
太子敏則
TSSG法によるSiC溶液成長における種子づけと溶液中の炭素濃度の関係
使用 TSSG 方法生长 SiC 溶液中晶种与溶液中碳浓度的关系
使用 TSSG 方法生长 SiC 溶液中晶种与溶液中碳浓度的关系
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[太子敏則, 高橋大, 土本直道, 鈴木皓己, 玄光龍]
通讯作者：
玄光龍
SiCおよび機能性バルク単結晶の育成～融液成長からのSiC溶液成長のアプローチ～
SiC和功能性大块单晶的生长〜从熔融生长到SiC溶液生长的方法〜
SiC和功能性大块单晶的生长〜从熔融生长到SiC溶液生长的方法〜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[太子敏則, 干川圭吾]
通讯作者：
干川圭吾
共 24 条
Relationship between 2D-nucleation and long crystal growth in solution growth of SiC without molten silicon.
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批准号：20H02637
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.32万
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财政年份：2020
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负责人：Taishi Toshinori
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依托单位：
海外基金