Determination of dynamics of SiC solution growth by real-time observation of growth interface
Determination of dynamics of SiC solution growth by real-time observation of growth interface
通过实时观察生长界面确定 SiC 溶液生长动力学
批准号：
24686083
负责人：
TAKESHI Yoshikawa
金额：
$17.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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可視光透過法によるSiC溶液成長界面の高温下リアルタイム観察
可见光透射法实时观察高温下SiC溶液生长界面
可见光透射法实时观察高温下SiC溶液生长界面
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川西咲子, 吉川健, 森田一樹, 亀井一人, 楠一彦, 坂元秀光, 鈴木寛]
通讯作者：
鈴木寛
DOI：
10.1063/1.4837575
发表时间：
2013-12-07
期刊：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
3.2
作者：
[Kawanishi, Sakiko, Yoshikawa, Takeshi, Sakamoto, Hidemitsu]
通讯作者：
Sakamoto, Hidemitsu
Interference observation of the interface between SiC and liquid alloy and its application to dissolution process of SiC
SiC与液态合金界面干涉观察及其在SiC溶解过程中的应用
SiC与液态合金界面干涉观察及其在SiC溶解过程中的应用
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa and Kazuki Morita]
通讯作者：
Takeshi Yoshikawa and Kazuki Morita
Interfacial behavior at the initial stage of solution growth of SiC investigated by real-time observation of the growth interface
通过生长界面实时观察研究SiC固溶生长初始阶段的界面行为
通过生长界面实时观察研究SiC固溶生长初始阶段的界面行为
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa and Kazuki Morita, Norio Tokuda, Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa]
通讯作者：
Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa
SiCの溶液成長と成長界面のリアルタイム観察
实时观察SiC溶液生长和生长界面
实时观察SiC溶液生长和生长界面
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉川健, 川西咲子, 森田一樹]
通讯作者：
森田一樹
共 13 条
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