Determination of dynamics of SiC solution growth by real-time observation of growth interface

通过实时观察生长界面确定 SiC 溶液生长动力学

• 批准号: 24686083
• 负责人: TAKESHI Yoshikawa
• 金额: $ 17.06万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24686083/
• 关键词: シリコンカーバイド; 溶液成長; 成長界面; リアルタイム観察; バンチング

项目成果

可視光透過法によるSiC溶液成長界面の高温下リアルタイム観察

可见光透射法实时观察高温下SiC溶液生长界面

• 发表时间: 2013
• 作者: 川西咲子;吉川健;森田一樹;亀井一人;楠一彦;坂元秀光;鈴木寛
• 通讯作者: 鈴木寛

Real-time observation of the interface between SiC and a liquid alloy and its application to the dissolution behavior of SiC at 1573 K

• DOI: 10.1063/1.4837575
• 发表时间: 2013-12-07
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Kawanishi, Sakiko;Yoshikawa, Takeshi;Sakamoto, Hidemitsu
• 通讯作者: Sakamoto, Hidemitsu

Interference observation of the interface between SiC and liquid alloy and its application to dissolution process of SiC

SiC与液态合金界面干涉观察及其在SiC溶解过程中的应用

• 发表时间: 2013
• 作者: Sakiko Kawanishi;Takeshi Yoshikawa and Kazuki Morita
• 通讯作者: Takeshi Yoshikawa and Kazuki Morita

Interfacial behavior at the initial stage of solution growth of SiC investigated by real-time observation of the growth interface

通过生长界面实时观察研究SiC固溶生长初始阶段的界面行为

• 发表时间: 2014
• 作者: Sakiko Kawanishi;Takeshi Yoshikawa and Kazuki Morita;Norio Tokuda;Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa
• 通讯作者: Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa

SiCの溶液成長と成長界面のリアルタイム観察

实时观察SiC溶液生长和生长界面

• 发表时间: 2013
• 作者: 吉川健;川西咲子;森田一樹
• 通讯作者: 森田一樹