Creation of high performance and highly reliable GaN MOS devices based on interface engineering

基于界面工程创建高性能、高可靠的GaN MOS器件

• 批准号: 19H00767
• 负责人: WATANABE Heiji
• 金额: $ 28.7万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00767/
• 关键词: 窒化ガリウム; パワーデバイス; MOS構造; 界面反応制御

项目成果

スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成

通过溅射SiO2薄膜沉积形成稳定的GaN MOS结构

• 发表时间: 2022
• 作者: 大西健太郎;見掛文一郎;冨ヶ原一樹;溝端秀聡;野崎幹人;小林拓真;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解

了解 SiO2/GaN MOS 器件中氢气退火引起的异常固定电荷产生

• 发表时间: 2020
• 作者: 溝端秀聡;和田悠平;加賀三志郎;野﨑幹人;細井卓治;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価

采用超高压活化热处理镁离子注入 GaN 的 P 沟道 MOSFET 的制造和评估

• 发表时间: 2021
• 作者: 和田悠平;溝端秀聡;野﨑幹人;小林拓真;細井卓治;櫻井秀樹;加地徹;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜SiO2/GaN MOS構造の界面特性及び絶縁性向上

氧氢热处理改善溅射沉积SiO2/GaN MOS结构的界面性能和绝缘性能

• 发表时间: 2022
• 作者: 大西健太郎;小林拓真;溝端秀聡;野﨑幹人;吉越章隆;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

Mg离子注入GaN上经超高压活化热处理形成的SiO2/GaN MOS电容器的电特性评估

• 发表时间: 2021
• 作者: 和田悠平;溝端秀聡;野﨑幹人;小林拓真;細井卓治;櫻井秀樹;加地徹;吉越章隆;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司