Creation of high performance and highly reliable GaN MOS devices based on interface engineering
Creation of high performance and highly reliable GaN MOS devices based on interface engineering
基于界面工程创建高性能、高可靠的GaN MOS器件
批准号：
19H00767
负责人：
WATANABE Heiji
金额：
$28.7万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成
通过溅射SiO2薄膜沉积形成稳定的GaN MOS结构
通过溅射SiO2薄膜沉积形成稳定的GaN MOS结构
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大西健太郎, 見掛文一郎, 冨ヶ原一樹, 溝端秀聡, 野崎幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司]
通讯作者：
渡部平司
SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解
了解 SiO2/GaN MOS 器件中氢气退火引起的异常固定电荷产生
了解 SiO2/GaN MOS 器件中氢气退火引起的异常固定电荷产生
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[溝端秀聡, 和田悠平, 加賀三志郎, 野﨑幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司]
通讯作者：
渡部平司
超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価
采用超高压活化热处理镁离子注入 GaN 的 P 沟道 MOSFET 的制造和评估
采用超高压活化热处理镁离子注入 GaN 的 P 沟道 MOSFET 的制造和评估
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[和田悠平, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 櫻井秀樹, 加地徹, 志村考功, 渡部平司]
通讯作者：
渡部平司
酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜SiO2/GaN MOS構造の界面特性及び絶縁性向上
氧氢热处理改善溅射沉积SiO2/GaN MOS结构的界面性能和绝缘性能
氧氢热处理改善溅射沉积SiO2/GaN MOS结构的界面性能和绝缘性能
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大西健太郎, 小林拓真, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司]
通讯作者：
渡部平司
超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価
Mg离子注入GaN上经超高压活化热处理形成的SiO2/GaN MOS电容器的电特性评估
Mg离子注入GaN上经超高压活化热处理形成的SiO2/GaN MOS电容器的电特性评估
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[和田悠平, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 櫻井秀樹, 加地徹, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司]
通讯作者：
渡部平司
共 39 条
Fabrication of High-quality SiC-MOSFETs for Advanced Power Electronics
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批准号：19676001
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (S)
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资助金额：$57.16万
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财政年份：2007
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负责人：WATANABE Heiji
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依托单位：
海外基金