Fabrication of High-quality SiC-MOSFETs for Advanced Power Electronics

制造用于先进电力电子的高质量 SiC-MOSFET

• 批准号: 19676001
• 负责人: WATANABE Heiji
• 金额: $ 57.16万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (S)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19676001/
• 关键词: パワーエレクトロニクス; MOSデバイス; 薄膜界面; 界面

Silicon carbide(SiC) has gained considerable attention for power electronics. Among the various types of power devices, metal-oxide-semiconductor(MOS) should become a key component for next generation SiC switching devices. In this study, we investigated fundamental aspects of SiC oxidation and MOS interfaces, and proposed novel methods for improving electrical properties of SiC-MOS devices. We also fabricated MOS transistors with high-permittivity gate dielectrics and successfully demonstrated superior device performance.

碳化硅（SiC）在电力电子领域得到了广泛的关注。在各种类型的功率器件中，金属氧化物半导体（MOS）将成为下一代SiC开关器件的关键部件。在这项研究中，我们研究了SiC氧化和MOS接口的基本方面，并提出了改善SiC-MOS器件电性能的新方法。我们还制作了MOS晶体管与高介电常数的栅极MOSFET，并成功地展示了上级器件性能。

项目成果

Reduction of Charge Trapping Sites in Al2O3/SiO2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices

通过掺入氮减少 Al2O3/SiO2 堆叠栅极电介质中的电荷捕获位点，实现高度可靠的 4H-SiC MIS 器件

• DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.496
• 发表时间: 2011
• 期刊: Materials Science Forum
• 作者: T. Hosoi;Yusuke Kagei;Takashi Kirino;Shuhei Mitani;Y. Nakano;Takashi Nakamura;T. Shimura;Heiji Watanabe
• 通讯作者: Heiji Watanabe

Investigation of Mobile Ion Generation in Thermal Oxide of 4H-SiC(0001) MOS Devices with High-Temperature Hydrogen Annealing

高温氢气退火 4H-SiC(0001) MOS 器件热氧化中移动离子生成的研究

• 发表时间: 2011
• 作者: A.Chanthaphan;et al
• 通讯作者: et al

熱酸化SiO_2/SiC構造における紫外線誘起欠陥の評価

热氧化SiO_2/SiC结构中紫外诱导缺陷的评估

• 发表时间: 2011
• 作者: 池口大輔;他
• 通讯作者: 他

Correlation between surface morphology and breakdown characteristics of thermally grown SiO_2 dielectrics in 4H-SiC MOS devices

4H-SiC MOS器件中热生长SiO_2电介质表面形貌与击穿特性的相关性

• 发表时间: 2011
• 作者: Y.Uenishi;et al
• 通讯作者: et al

放射光XPSによるSiO2/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価

使用同步辐射 XPS 评估 SiO2/4H-SiC 结构的导带偏移

• 发表时间: 2010
• 作者: 桐野嵩史;他
• 通讯作者: 他