シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
批准号:
07F07107
负责人:
小田 俊理
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2009
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英文摘要
単一シリコンナノチェイン構造のデバイスで電気特性を測定した結果、単電子トンネル現象に特有なクーロンブロッケードを観測した。室温まで温度を上昇しても単電子トンネル現象は残っており、明瞭なクーロン振動をナノチェインでは初めて観測した。多くのナノ結晶が鎖状に連結して、シリコン酸化膜で被覆されている構造であるシリコンナノチェインの電子輸送過程を多重トンネル接合モデルで解析したところ、実験結果と良い一致が見られた。ゲート容量は0.1aFと見積もられたが、これは電子顕微鏡観測によるデバイスの寸法から見て合理的な値である。多重トンネル接合のパラメータのばらつきを、日立ケンブリッジ研究所で開発されたCAMSET単電子デバイスシミュレータを用いて解析したところ、ナノチェイン中のナノ結晶の位置がデバイスの閾電圧を決定していることが判明した。複数のナノチェインによるデバイス構造でも室温で単電子トンネル効果を観測した。高密度に凝集したナノチェインデバイスでは、クーロンブロッケードの閾電圧がゲート電圧に依存する電界効果トランジスタ特性が得られた。ナノ結晶シリコンが擬2次元的に集積した薄膜デバイスの電子輸送特性では、ホッピング伝導の電界支援効果を観測した。電流の対数は、温度の平方根に反比例すること、および電界の平方根に比例することを見いだして、実効温度の概念を導入することにより実験結果を良く説明できることを明らかにした。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI:
10.1063/1.2887988
发表时间:
2008-03
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[M. Rafiq;Z. Durrani;H. Mizuta;A. Colli;P. Servati;A. Ferrari;W. Milne;S. Oda]
通讯作者:
M. Rafiq;Z. Durrani;H. Mizuta;A. Colli;P. Servati;A. Ferrari;W. Milne;S. Oda
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K.Miyamoto, K.Kawai, S.Shoji, Eunju Lim, M. A. Rafiq]
通讯作者:
M. A. Rafiq
高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
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批准号:14F04797
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2014
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
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批准号:10F00779
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.9万
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财政年份:2010
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
ネオシリコン量子情報デバイス
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批准号:04F04348
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
機能性酸化物高度プロセス研究
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批准号:10142103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$74.24万
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财政年份:2000
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
単一電子トランジスタ素子による、シリコン/酸化物界面の研究
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批准号:97F00286
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1998
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層MOCVDによる超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
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批准号:09224207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1997
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
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批准号:08238206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
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批准号:07248205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1995
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
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批准号:06216224
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1994
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシー成長表面の光学的観察と成長機構の解明
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批准号:05211210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1993
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
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批准号:05224222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1993
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
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批准号:04240222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1992
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシー成長表面の光学的観察と成長機構の解明
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批准号:04227214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1992
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
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批准号:03210213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1991
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシ-成長表面の光学的観察と成長機構の解明
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批准号:03243214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1991
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
VHF帯プラズマの発生と制御
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批准号:02214209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1990
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
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批准号:02226211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1990
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
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批准号:01644511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1989
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
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批准号:01632509
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1989
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
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批准号:63632511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1988
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
海外基金