シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
硅纳米链结构中量子化电荷存储和转移的控制
基本信息
- 批准号:07F07107
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
単一シリコンナノチェイン構造のデバイスで電気特性を測定した結果、単電子トンネル現象に特有なクーロンブロッケードを観測した。室温まで温度を上昇しても単電子トンネル現象は残っており、明瞭なクーロン振動をナノチェインでは初めて観測した。多くのナノ結晶が鎖状に連結して、シリコン酸化膜で被覆されている構造であるシリコンナノチェインの電子輸送過程を多重トンネル接合モデルで解析したところ、実験結果と良い一致が見られた。ゲート容量は0.1aFと見積もられたが、これは電子顕微鏡観測によるデバイスの寸法から見て合理的な値である。多重トンネル接合のパラメータのばらつきを、日立ケンブリッジ研究所で開発されたCAMSET単電子デバイスシミュレータを用いて解析したところ、ナノチェイン中のナノ結晶の位置がデバイスの閾電圧を決定していることが判明した。複数のナノチェインによるデバイス構造でも室温で単電子トンネル効果を観測した。高密度に凝集したナノチェインデバイスでは、クーロンブロッケードの閾電圧がゲート電圧に依存する電界効果トランジスタ特性が得られた。ナノ結晶シリコンが擬2次元的に集積した薄膜デバイスの電子輸送特性では、ホッピング伝導の電界支援効果を観測した。電流の対数は、温度の平方根に反比例すること、および電界の平方根に比例することを見いだして、実効温度の概念を導入することにより実験結果を良く説明できることを明らかにした。
The results of the measurement of the electrical characteristics of the single crystal structure and the characteristics of the single crystal structure are as follows: The temperature rise of the room temperature causes the phenomenon of electron emission to change, and the vibration of the room temperature changes. The structure of the crystal structure of the electron transport process of the crystal structure of the electron transport process of the crystal structure of the electron transport process of the electron transport process The capacity of the electron microscope is 0.1aF. The determination of the threshold voltage of the crystal position in the multi-crystal joint was made by Hitachi Research Institute, which developed CAMSET single-crystal joint. The structure of a plurality of electronic components is tested at room temperature. High density aggregation results in high voltage dependence on threshold voltage. The electron transport characteristics of the thin film were measured by using the crystal structure and the quasi-two-dimensional aggregation. The square root of the current is proportional to the square root of the current
项目成果
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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Room temperature single electron charging in single silicon nanochains
- DOI:10.1063/1.2887988
- 发表时间:2008-03
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:M. Rafiq;Z. Durrani;H. Mizuta;A. Colli;P. Servati;A. Ferrari;W. Milne;S. Oda
- 通讯作者:M. Rafiq;Z. Durrani;H. Mizuta;A. Colli;P. Servati;A. Ferrari;W. Milne;S. Oda
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- DOI:
- 发表时间:2008
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- 作者:K.Miyamoto;K.Kawai;S.Shoji;Eunju Lim;M. A. Rafiq
- 通讯作者:M. A. Rafiq
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