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Bipolar conduction control of nitride semiconductor thin film and its application to solar cells
氮化物半导体薄膜双极导通控制及其在太阳能电池中的应用
基本信息
- 批准号：19H02427
- 负责人：
- 金额：$ 11.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low Residual Carrier Density and High In-Grain Mobility in Polycrystalline Zn3N2 Films on a Glass Substrate
- DOI：10.1021/acsaelm.2c00181
- 发表时间：2022-04
- 期刊：
- 影响因子：4.7
- 作者：Kaiwen Li;A. Shimizu;Xinyi He;K. Ide;Kota Hanzawa;K. Matsuzaki;T. Katase;H. Hiramatsu;Hideo Hosono;Qun Zhang;T. Kamiya
- 通讯作者：Kaiwen Li;A. Shimizu;Xinyi He;K. Ide;Kota Hanzawa;K. Matsuzaki;T. Katase;H. Hiramatsu;Hideo Hosono;Qun Zhang;T. Kamiya
Resistive switching memory effects in p-type hydrogen-treated CuO nanowire
- DOI：10.1063/5.0010839
- 发表时间：2020-07-27
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Huang, Chi-Hsin;Tang, Yalun;Nomura, Kenji
- 通讯作者：Nomura, Kenji
Hydrogen-Defect Termination in SnO for p-Channel TFTs
- DOI：10.1021/acsaelm.0c00149
- 发表时间：2020-04-28
- 期刊：
- 影响因子：4.7
- 作者：Lee, Alex W.;Le, Dong;Nomura, Kenji
- 通讯作者：Nomura, Kenji
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Matsuzaki Kosuke其他文献
生体直交型反応による細胞とハイドロゲルの融合，医療応用 を目指して
通过生物正交反应融合细胞和水凝胶，旨在医疗应用
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Chang Hsuan;Huang Chi-Hsin;Matsuzaki Kosuke;Nomura Kenji;長濱宏治 - 通讯作者：
長濱宏治
ガンマ イメージングとデータ解析
伽马成像和数据分析
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Huang Chi-Hsin;Tang Yalun;Matsuzaki Kosuke;Nomura Kenji;黒澤俊介 - 通讯作者：
黒澤俊介
Matsuzaki Kosuke的其他文献
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- 作者：
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{{ truncateString('Matsuzaki Kosuke', 18)}}的其他基金
Crystal growth of InN semiconductor for high performance pn junction diodes
用于高性能pn结二极管的InN半导体晶体生长
- 批准号：
19K22228 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
相似海外基金
通信機の超低消費電力化に向けた窒化ガリウム系高周波トランジスタの開発
开发用于通信设备超低功耗的氮化镓基高频晶体管
- 批准号：
22KJ1532 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
High-throughput search for doped crystalline organic semiconductors and their application to organic transistors
高通量寻找掺杂晶体有机半导体及其在有机晶体管中的应用
- 批准号：
22H01931 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Formation of sprayed semiconducting nano-particle layers and their device applications
喷涂半导体纳米颗粒层的形成及其器件应用
- 批准号：
20K05327 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
evelopmentof stable CNT-doping method by the encapsulation of halogenation reagents
卤化试剂封装稳定碳纳米管掺杂方法的发展
- 批准号：
19K15539 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Building of Technical Basis for fabrication of high-power AlN devices
构建高功率AlN器件制造技术基础
- 批准号：
19H02166 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of fundamental technologies for fabrication of ultra-high voltage aluminum nitride semiconductor devices
超高压氮化铝半导体器件制造基础技术开发
- 批准号：
19K05292 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Control of conductivity and magnetism of organic devices based on strongly correlated electron systems
基于强相关电子系统的有机器件电导率和磁性控制
- 批准号：
19H00891 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Elucidation of charge injection process of self-contact organic transistor using accumulated charge method
利用累积电荷法阐明自接触有机晶体管的电荷注入过程
- 批准号：
17K18020 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
酸化グラフェンへのＶＵＶアシスト化学ドーピングによる発光機能発現の研究
真空紫外辅助化学掺杂氧化石墨烯发光功能表达研究
- 批准号：
16J10757 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of two-dimensional monolayer interface device based on solution process
基于溶液法的二维单层界面器件研制
- 批准号：
16H04140 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)