Crystal growth of InN semiconductor for high performance pn junction diodes

用于高性能pn结二极管的InN半导体晶体生长

基本信息

  • 批准号：
    19K22228
  • 负责人：
    Matsuzaki Kosuke
  • 金额：
    $ 4.16万
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-06-28 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
カリフォルニア大学サンディエゴ校(米国)
加州大学圣地亚哥分校（美国）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Resistive switching memory effects in p-type hydrogen-treated CuO nanowire
  • DOI：
    10.1063/5.0010839
  • 发表时间：
    2020-07-27
  • 期刊：
    APPLIED PHYSICS LETTERS
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Huang, Chi-Hsin;Tang, Yalun;Nomura, Kenji
  • 通讯作者：
    Nomura, Kenji
Hydrogen-Defect Termination in SnO for p-Channel TFTs
  • DOI：
    10.1021/acsaelm.0c00149
  • 发表时间：
    2020-04-28
  • 期刊：
    ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS
  • 影响因子：
    4.7
  • 作者：
    Lee, Alex W.;Le, Dong;Nomura, Kenji
  • 通讯作者：
    Nomura, Kenji
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  • 通讯作者：
    長濱宏治
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  • 通讯作者：
    黒澤俊介

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  • 资助金额：
    $ 4.16万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 资助金额：
    $ 4.16万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
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    $ 4.16万
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  • 财政年份：
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  • 资助金额：
    $ 4.16万
  • 项目类别：
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知道了