用于高性能pn结二极管的InN半导体晶体生长-猫眼课题宝

用于高性能pn结二极管的InN半导体晶体生长

批准号：

19K22228

负责人：

Matsuzaki Kosuke

金额：

$4.16万

依托单位：

Tokyo Institute of Technology

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

财政年份：

2019

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2019-06-28 至 2021-03-31

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K22228/

关键词：

窒化物合成薄膜窒化物アモノサーマル半導体窒化物半導体両極性ドーピング薄膜成長

项目摘要

项目成果

Matsuzaki Kosuke的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要

翻译

点击翻译按钮获取中文摘要

英文摘要

期刊论文(5)

专著(0)

科研奖励(0)

会议论文

カリフォルニア大学サンディエゴ校(米国)

加州大学圣地亚哥分校（美国）

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

[]

通讯作者：

Hydrogen-Defect Termination in SnO for p-Channel TFTs

DOI： 10.1021/acsaelm.0c00149

发表时间： 2020-04-28

期刊：

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS

影响因子： 4.7

作者：

[Lee, Alex W., Le, Dong, Nomura, Kenji]

通讯作者： Nomura, Kenji

Resistive switching memory effects in p-type hydrogen-treated CuO nanowire

DOI： 10.1063/5.0010839

发表时间： 2020-07-27

期刊：

APPLIED PHYSICS LETTERS

影响因子： 4

作者：

[Huang, Chi-Hsin, Tang, Yalun, Nomura, Kenji]

通讯作者： Nomura, Kenji

Bipolar conduction control of nitride semiconductor thin film and its application to solar cells

批准号：

19H02427
项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
资助金额：

$11.73万
财政年份：

2019
负责人：

Matsuzaki Kosuke
依托单位：

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2021)Tokyo Institute of Technology (2019-2020)