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Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)
GaAs(111)上高度对称量子点的自组装
基本信息
- 批准号：22710107
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Great suppression of fine-structure splitting(FSS) is demonstrated in self-assembled GaAs quantum dots(QDs) grown on AlGaAs(111) A surface. Due to the three-fold rotational symmetry of the growth plane, highly symmetric excitons with significantly reduced FSS are achieved. Polarized photoluminescence spectra confirm excitonic transition with FSS smaller than 20μeV, a substantial reduction from that of QDs grown on(100).
在AlGaAs(111) A表面生长的自组装GaAs量子点（QDs）对精细结构分裂（FSS）有很好的抑制作用。由于生长平面的三重旋转对称，实现了高度对称的激子，FSS显著降低。偏振光致发光光谱证实了FSS小于20μeV时的激子跃迁，与（100）上生长的量子点相比有显著降低。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells.
- DOI：10.1186/1556-276x-6-76
- 发表时间：2011-01-12
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Jo M;Duan G;Mano T;Sakoda K
- 通讯作者：Sakoda K
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- DOI：10.1063/1.3493262
- 发表时间：2010-10
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：M. Jo;T. Mano;K. Sakoda
- 通讯作者：M. Jo;T. Mano;K. Sakoda
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- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：M. Jo;J. G. Keizer;T. Mano;P. M. Koenraad;and K. Sakoda
- 通讯作者：and K. Sakoda
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