Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)
Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)
GaAs(111)上高度对称量子点的自组装
批准号：
22710107
负责人：
MANO Takaaki
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2011
中文摘要
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英文摘要
Great suppression of fine-structure splitting(FSS) is demonstrated in self-assembled GaAs quantum dots(QDs) grown on AlGaAs(111) A surface. Due to the three-fold rotational symmetry of the growth plane, highly symmetric excitons with significantly reduced FSS are achieved. Polarized photoluminescence spectra confirm excitonic transition with FSS smaller than 20μeV, a substantial reduction from that of QDs grown on(100).
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DOI：
10.1186/1556-276x-6-76
发表时间：
2011-01-12
期刊：
Nanoscale research letters
影响因子：
--
作者：
[Jo M, Duan G, Mano T, Sakoda K]
通讯作者：
Sakoda K
液滴エピタキシーによるGaAsナノ構造の自己形成
通过液滴外延自形成 GaAs 纳米结构
通过液滴外延自形成 GaAs 纳米结构
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
応用物理
影响因子：
--
作者：
[前田 泰, 香山 正憲, 間野高明]
通讯作者：
間野高明
DOI：
10.1063/1.3493262
发表时间：
2010-10
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[M. Jo;T. Mano;K. Sakoda]
通讯作者：
M. Jo;T. Mano;K. Sakoda
Self-Assembly of GaAs Quantum Wires Grown on(311) A Substrates by Droplet
(311)A 衬底上液滴生长的 GaAs 量子线的自组装
(311)A 衬底上液滴生长的 GaAs 量子线的自组装
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[M. Jo, J. G. Keizer, T. Mano, P. M. Koenraad, and K. Sakoda]
通讯作者：
and K. Sakoda
液滴エピタキシを用いた(111)A面上三角形量子ドットの形成
利用液滴外延在 (111)A 平面上形成三角形量子点
利用液滴外延在 (111)A 平面上形成三角形量子点
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[定昌史, 他]
通讯作者：
他
共 26 条
Epitaxial growth of largely lattice-mismatched thin films on GaAs and its application to infrared photodetectors
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批准号：19K04480
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2019
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负责人：MANO Takaaki
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依托单位：
Development of self-assembled quantum dot lasers in lattice-matched GaAs/AlGaAs system
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批准号：20760207
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.25万
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财政年份：2008
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负责人：MANO Takaaki
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依托单位：
海外基金