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Development of self-assembled quantum dot lasers in lattice-matched GaAs/AlGaAs system

Development of self-assembled quantum dot lasers in lattice-matched GaAs/AlGaAs system
晶格匹配GaAs/AlGaAs系统自组装量子点激光器的研制
批准号：
20760207
负责人：
MANO Takaaki
金额：
$2.25万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760207/
关键词：
薄膜量子構造量子ドット結晶成長半導体レーザ自己形成半導体ガリウム砒素液滴エピタキシーレーザ素子量子閉じ込め高性能レーザ自己組織化

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We investigated and optimized droplet epitaxial quantum dot formation for their application to quantum dot lasers. We developed droplet epitaxy on GaAs (311)A surfaces and realized QDs with high density and high uniformity. Moreover, by optimizing the annealing processes, the optical qualities of QDs were improved drastically. As a result, optical pumped laser emission at room temperature was achieved.
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会议论文
GaAs/AIGaAs quantum dot laser fabricated on GaAs (311)A substrate by droplet epitaxy
采用液滴外延法在 GaAs (311)A 衬底上制备 GaAs/AIGaAs 量子点激光器
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Applied Physics Letters 93
影响因子： --
作者： [T. Mano, T. Kuroda, K. Mitsuishi, Y. Nakayama, T. Noda, and K. Sakoda]
通讯作者： and K. Sakoda
Ultra-narrow emission from single GaAs self-assembled quantum dots grown by droplet epitaxy
DOI： 10.1088/0957-4484/20/39/395601
发表时间： 2009-09-30
期刊： NANOTECHNOLOGY
影响因子： 3.5
作者： [Mano, T., Abbarchi, M., Gurioli, M.]
通讯作者： Gurioli, M.
Ordering of GaAs quantum dots by droplet epitaxy
DOI： 10.1002/pssb.200880591
发表时间： 2009-04
期刊： physica status solidi (b)
影响因子： --
作者： [T. Mano;T. Kuroda;Takeshi Noda;K. Sakoda]
通讯作者： T. Mano;T. Kuroda;Takeshi Noda;K. Sakoda
低温キャップ層成長がGaAs/AlGaAs量子ナノ構造の光学特性に与える影響
低温盖层生长对GaAs/AlGaAs量子纳米结构光学性能的影响
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [段国韜, 他]
通讯作者： 他
共 9 条
    Epitaxial growth of largely lattice-mismatched thin films on GaAs and its application to infrared photodetectors
    • 批准号：
      19K04480
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      MANO Takaaki
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)
    • 批准号：
      22710107
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      MANO Takaaki
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    海外基金