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Development of self-assembled quantum dot lasers in lattice-matched GaAs/AlGaAs system
晶格匹配GaAs/AlGaAs系统自组装量子点激光器的研制
基本信息
- 批准号：20760207
- 负责人：
- 金额：$ 2.25万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We investigated and optimized droplet epitaxial quantum dot formation for their application to quantum dot lasers. We developed droplet epitaxy on GaAs (311)A surfaces and realized QDs with high density and high uniformity. Moreover, by optimizing the annealing processes, the optical qualities of QDs were improved drastically. As a result, optical pumped laser emission at room temperature was achieved.
我们研究和优化了液滴外延量子点的形成，并将其应用于量子点激光器。我们在GaAs(311)A表面进行了液滴外延，实现了高密度、高均匀性的量子点。此外，通过优化退火工艺，量子点的光学质量得到了显著的提高。从而实现了室温下的光泵浦激光发射。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
GaAs/AIGaAs quantum dot laser fabricated on GaAs (311)A substrate by droplet epitaxy
采用液滴外延法在 GaAs (311)A 衬底上制备 GaAs/AIGaAs 量子点激光器
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Mano;T. Kuroda;K. Mitsuishi;Y. Nakayama;T. Noda;and K. Sakoda
- 通讯作者：and K. Sakoda
Ultra-narrow emission from single GaAs self-assembled quantum dots grown by droplet epitaxy
- DOI：10.1088/0957-4484/20/39/395601
- 发表时间：2009-09-30
- 期刊：
- 影响因子：3.5
- 作者：Mano, T.;Abbarchi, M.;Gurioli, M.
- 通讯作者：Gurioli, M.
Ordering of GaAs quantum dots by droplet epitaxy
- DOI：10.1002/pssb.200880591
- 发表时间：2009-04
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Mano;T. Kuroda;Takeshi Noda;K. Sakoda
- 通讯作者：T. Mano;T. Kuroda;Takeshi Noda;K. Sakoda
低温キャップ層成長がGaAs/AlGaAs量子ナノ構造の光学特性に与える影響
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- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：段国韜;他
- 通讯作者：他
High-density GaAs/AlGaAs quantum dots formed on GaAs (311)A substrates by droplet epitaxy
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2008.11.043
- 发表时间：2009-03
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：T. Mano;T. Kuroda;K. Mitsuishi;T. Noda;K. Sakoda
- 通讯作者：T. Mano;T. Kuroda;K. Mitsuishi;T. Noda;K. Sakoda
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- 影响因子：0
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