点欠陥制御による非輻射再結合中心の抑制と低抵抗p型AlGaNの実現

通过点缺陷控制抑制非辐射复合中心并实现低电阻p型AlGaN

基本信息

  • 批准号:
    21J15559
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.96万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-28 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

深紫外LEDは従来の深紫外光源である水銀ランプ等を置き換えることが期待される。また、波長230 nm以下のfar-UVC光は殺ウイルス作用があるが人体には無害ということが近年知られてきた。一方、AlGaN系深紫外LEDの効率は短波長になるにつれ低下し、波長230 nmでは外部量子効率は1%にも達していない。そこで本研究では、これら波長域での高効率な深紫外LEDの高効率化を目的としている。その方法として、半極性r面の利用が考えられる。これまでr面AlGaNにおいて、低ピット密度の平坦な表面を得るには高圧成長を行うことが必要だった。一方、高圧成長では原料ガスが基板に到達するまえに消費され、原料利用効率が悪化するという産業上見過ごせない課題を有している。そこで、産業応用を見据えて低圧(~38 Torr)下において、有機金属気相成長法にて成長条件の精査を行った。その結果、低圧下であっても、N元素源であるアンモニア流量を調節することで低ピット密度かつ表面平坦粗さのRMS値が1 nmを切る平坦なr面AlGaNが得られた。また、フォトルミネッセンス(PL)測定より、現在利用されている面であるc面上のAlGaN/AlN量子井戸と半極性r面上のそれの弱励起条件下における内部量子効率が、波長~225 nmにおいてc面上は1.6 %であるのに対し、r面上は5.4 %と3.5倍に向上することが分かった。時間分解PLも組み合わせると、その理由は輻射再結合確率がr面ではおよそ2倍に向上すること、非輻射再結合中心の密度がr面では低減されているためだと分かった。また、半極性面では成長方向の分極が小さいため、分極ドーピングによってp型層を得ることは不可能だと考えられていたが、r面のようにc面からのなす角度がほどほどの角度であれば半極性面であっても分極ドーピングが可能であることを理論的に示した。
The deep ultraviolet LED is the deep ultraviolet light source and the mercury light source is the same.また, far-UVC light with a wavelength below 230 nm has a killing effect on the human body and is harmless to the human body. On the one hand, the efficiency of AlGaN-based deep ultraviolet LEDs is low at short wavelengths, and the external quantum efficiency at 230 nm wavelength is as high as 1%. The purpose of this research is to improve the efficiency of high-efficiency deep ultraviolet LEDs in the wavelength domain.そのmethod として, semipolar r-side のutilization がtest えられる. The surface of AlGaN is smooth and the flat surface is low density, so it is necessary to grow at high pressure. On the one hand, the high-pressure growth of raw materials and substrates have reached the same level of consumption, and the efficiency of raw material utilization has been seen in the industry. It is based on the industrial application of low pressure (~38 Torr), organic metal chromium phase growth method, and careful investigation of growth conditions.そのRESULTS, low pressure であっても, N element source であるアンモニアflow を adjustment することでlow ピットdensity かつsurface flat rough さのRMS〤が1 nmをcutるflatなr-planeAlGaNがgetられた.また、フォトルミネッセンス(PL) Measurement of より、Now using the されている面であるc surface of AlGa The internal quantum efficiency of N/AlN quantum well Toto on the semipolar r-surface is weakly excited, and the wavelength is ~225 nmにおいてc上は1.6%であるのに対し、r上は5.4%と3.5 timesに上することが分かった. Time decomposition PL み合わせると, そのreason は Radiation recombination accuracy がr surface では およそ 2 times にUpward すること, non-radiative recombination center density がr surface では low reduction されているためだと分かった.また, semi-polar surface では growth direction のpole が 小さいため, dividing pole ドーピングによってp type layer をget ることはimpossibleだと考えられていたが、r面のようにc面からのなすANGLEがほどほどのANGLEであれば Semi-polar The surface of the surface is divided into poles, and the theory of the theory is possible.

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
低圧下での平坦な半極性r面AlGaN薄膜のMOVPE成長
低压下平面半极性r面AlGaN薄膜的MOVPE生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kazuki Kanda;Hisato Iwata;赤池良太,船戸充,川上養一
  • 通讯作者:
    赤池良太,船戸充,川上養一
far-UVC領域で発光する半極性r面AlGaN/AlNの時間分解PL測定による解析
使用时间分辨 PL 测量分析远 UVC 区域中发光的半极性 r 平面 AlGaN/AlN
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Zhang Youyue;Yoshino Takashi;Osako Masahiro.;Miyuki Iwasaki Katsuyuki T. Yamato John L. Bowman Takayuki Kohchi et al;赤池良太,船戸充,川上養一
  • 通讯作者:
    赤池良太,船戸充,川上養一
半極性面AlGaN量子井戸からの波長250 nm以下での高効率発光
半极面 AlGaN 量子阱在波长低于 250 nm 时实现高效发光
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    堀尾侑加;七里元督;伊勢川裕二;赤池良太,船戸充,川上養一
  • 通讯作者:
    赤池良太,船戸充,川上養一
Efficient far-UVC emissions from semipolar r-plane AlGaN/AlN QWs
半极性 r 平面 AlGaN/AlN 量子阱的高效远 UVC 发射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ryota Akaike;Mitsuru Funato;and Yoichi Kawakami
  • 通讯作者:
    and Yoichi Kawakami
Improved internal quantum efficiencies of far-UVC AlGaN/AlN quantum wells by the use of semipolar r-planes
通过使用半极性 r 平面提高远 UVC AlGaN/AlN 量子阱的内量子效率
  • DOI:
    10.1063/5.0142138
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. Akaike;M. Funato;and Y. Kawakami
  • 通讯作者:
    and Y. Kawakami
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

赤池 良太其他文献

赤池 良太的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似国自然基金

面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    10.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
N极性AlGaN基深紫外全固态光源的极化 调控及光效提升
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    10.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于机器学习势的AlGaN合金中热输运的各向异性调控规律与机制研究
  • 批准号:
    2025JJ50043
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
AlGaN基自组织深紫外量子线阵列的辐射复合效率和出光模式协同调控
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    30.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
AlGaN/InGaN基 LED 发光材料物性研究及优化设计
  • 批准号:
    2024JJ7377
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    15.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
面向无线光通信的表面微纳结构AlGaN基深紫外光电子器件研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    30.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于AlGaN材料的全固态日盲紫外/近红外双色探测器研究
  • 批准号:
    62374163
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    48.00 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于界面修饰路径的p型AlGaN三维超晶格能级耦合及微通道输运调控
  • 批准号:
    n/a
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    10.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目

相似海外基金

縮退窒化物のMB効果を用いたAlGaN二次元電子ガスへのコンタクトとHEMT応用
利用简并氮化物的MB效应和HEMT应用接触AlGaN二维电子气
  • 批准号:
    24H00310
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
  • 批准号:
    23K23238
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Ultrawide Bandgap AlGaN Power Electronics - Transforming Solid-State Circuit Breakers (ULTRAlGaN)
超宽带隙 AlGaN 电力电子 - 改造固态断路器 (ULTRAlGaN)
  • 批准号:
    EP/X035360/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Research Grant
Far-UV C AlGaN-based electron beam pumped laser
远紫外 C AlGaN 电子束泵浦激光器
  • 批准号:
    22H00304
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Local emission and defect of AlGaN ternary alloy by microscopic spectroscopy and efficiency reduction mechanism
通过显微光谱和效率降低机制研究 AlGaN 三元合金的局域发射和缺陷
  • 批准号:
    22K04184
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Non-polar plane growth of AlGaN nitride semiconductors and its application to deep UV LED
AlGaN氮化物半导体非极性面生长及其在深紫外LED中的应用
  • 批准号:
    22H01970
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Tunnel Junction Based AlGaN Ultraviolet Lasers
基于隧道结的 AlGaN 紫外激光器
  • 批准号:
    2034140
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Electrically Injected Ultraviolet AlGaN Photonic Nanocrystal Surface Emitting Lasers
电注入紫外 AlGaN 光子纳米晶体表面发射激光器
  • 批准号:
    2026484
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Advanced doping techniques for AlGaN-based power devices
用于 AlGaN 功率器件的先进掺杂技术
  • 批准号:
    1916800
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Standard Grant
In-situ characterization of MOVPE growth dynamics and of diffusion mechanisms in nitrides and their influence on optoelectronic properties of InGaN/AlGaN/GaN quantum structures
MOVPE 生长动力学和氮化物扩散机制的原位表征及其对 InGaN/AlGaN/GaN 量子结构光电性能的影响
  • 批准号:
    426532685
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Research Grants
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了