Control of the energy distribution of trap levels in the charge trapping films
Control of the energy distribution of trap levels in the charge trapping films
电荷俘获膜中俘获能级能量分布的控制
批准号：
18K04244
负责人：
Kobayashi Kiyoteru
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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東海大学 小林研究室
东海大学小林实验室
东海大学小林实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
高電圧で MONOS 型メモリに捕獲された正孔のチャージセントロイドの決定
确定高电压下 MONOS 型存储器中捕获的空穴的电荷质心
确定高电压下 MONOS 型存储器中捕获的空穴的电荷质心
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[美濃 暢, 小林 清輝]
通讯作者：
小林 清輝
Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal–Oxide–Nitride–Oxide–Semiconductor Memories
金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体存储器中俘获空穴电荷质心的实验提取
金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体存储器中俘获空穴电荷质心的实验提取
DOI：
10.1149/08603.0023ecst
发表时间：
2018
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[H. Mino, Kiyoteru Kobayashi]
通讯作者：
Kiyoteru Kobayashi
MONOS型不揮発性メモリの電子保持特性
MONOS型非易失性存储器的电子保持特性
MONOS型非易失性存储器的电子保持特性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岸田拓朗, 小林清輝]
通讯作者：
小林清輝
Determination of Charge Centroid and Density of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor-type Non-Volatile Memory Devices
金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体型非易失性存储器件中电荷质心和俘获空穴密度的测定
金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体型非易失性存储器件中电荷质心和俘获空穴密度的测定
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mino Hiroshi, Kobayashi Kiyoteru, Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi, R. Agrawal and K. Kobayashi, Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi, Kiyoteru Kobayashi]
通讯作者：
Kiyoteru Kobayashi
共 17 条
Application of silicon carbonitride films to the charge trapping nonvolatile memories
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批准号：26420280
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2014
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负责人：Kobayashi Kiyoteru
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依托单位：
海外基金