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Control of the energy distribution of trap levels in the charge trapping films
电荷俘获膜中俘获能级能量分布的控制
基本信息
- 批准号：18K04244
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
高電圧で MONOS 型メモリに捕獲された正孔のチャージセントロイドの決定
确定高电压下 MONOS 型存储器中捕获的空穴的电荷质心
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：美濃 暢;小林 清輝
- 通讯作者：小林 清輝
Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal–Oxide–Nitride–Oxide–Semiconductor Memories
金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体存储器中俘获空穴电荷质心的实验提取
- DOI：10.1149/08603.0023ecst
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Mino;Kiyoteru Kobayashi
- 通讯作者：Kiyoteru Kobayashi
Determination of Charge Centroid and Density of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor-type Non-Volatile Memory Devices
金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体型非易失性存储器件中电荷质心和俘获空穴密度的测定
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Mino Hiroshi;Kobayashi Kiyoteru;Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi;R. Agrawal and K. Kobayashi;Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi;Kiyoteru Kobayashi
- 通讯作者：Kiyoteru Kobayashi
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碳氮化硅薄膜在电荷捕获非易失性存储器中的应用
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- 资助金额：
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15K00021 - 财政年份：2015
- 资助金额：
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采用闪存结构作为顶栅的导通控制石墨烯晶体管的开发
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- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Research on M-ary Unidirectional Error Control Codes for Multi-Level Flash Memories
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26330059 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Application of silicon carbonitride films to the charge trapping nonvolatile memories
碳氮化硅薄膜在电荷捕获非易失性存储器中的应用
- 批准号：
26420280 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
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25871039 - 财政年份：2013
- 资助金额：
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针对单电子现象引起的错误的缩放 NAND 闪存系统的基础研究
- 批准号：
25820148 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)