Application of silicon carbonitride films to the charge trapping nonvolatile memories

碳氮化硅薄膜在电荷捕获非易失性存储器中的应用

基本信息

  • 批准号:
    26420280
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(23)
专著数量(0)
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专利数量(0)
Experimental Extraction of the Charge Centroid in SiCN-Based Charge Trapping Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method
使用恒流载流子注入方法实验提取 SiCN 基电荷捕获存储器中的电荷质心
  • DOI:
    10.1149/07532.0051ecst
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sheikh Rashel Al Ahmed;Kaihei Kato;Kiyoteru Kobayashi
  • 通讯作者:
    Kiyoteru Kobayashi
定電流キャリヤ注入法を用いた MONOS構造の正孔捕獲特性の評価(Ⅱ)
采用恒流载流子注入法评估MONOS结构的空穴捕获特性(二)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中伸;S. R. A. Ahmed;加藤海平;福山耕作;尾崎航佑;小林清輝
  • 通讯作者:
    小林清輝
不揮発性半導体メモリのSiNX電荷捕獲層の正孔捕獲特性
非易失性半导体存储器中SiNX电荷捕获层的空穴捕获特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤海平;S. R. A. Ahmed;小林清輝
  • 通讯作者:
    小林清輝
Hole trapping characteristics of SiCN-based charge trapping memories using the constant-current carrier injection method
采用恒流载流子注入法的SiCN基电荷捕获存储器的空穴捕获特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. R. A. Ahmed;S. Tanaka;and K. Kobayashi
  • 通讯作者:
    and K. Kobayashi
Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics (II)
碳氮化硅 (SiCN) 电介质的电荷捕获非易失性存储器的电荷保持特性 (II)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. R. A. Ahmed;F. Uehara;小林清輝
  • 通讯作者:
    小林清輝
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mino Hiroshi;Kobayashi Kiyoteru;Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi;R. Agrawal and K. Kobayashi;Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi;Kiyoteru Kobayashi
  • 通讯作者:
    Kiyoteru Kobayashi
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Mino Hiroshi;Kobayashi Kiyoteru;Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi;R. Agrawal and K. Kobayashi;Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi
  • 通讯作者:
    Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi

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    $ 3.16万
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  • 资助金额:
    $ 3.16万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    $ 3.16万
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  • 资助金额:
    $ 3.16万
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  • 批准号:
    23246038
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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