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Application of silicon carbonitride films to the charge trapping nonvolatile memories

Application of silicon carbonitride films to the charge trapping nonvolatile memories
碳氮化硅薄膜在电荷捕获非易失性存储器中的应用
批准号：
26420280
负责人：
Kobayashi Kiyoteru
金额：
$3.16万
依托单位：
Tokai University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420280/
关键词：
不揮発性メモリシリコン炭窒化膜電荷トラップフラッシュメモリ不揮発性半導体メモリシリコン窒化膜

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Experimental Extraction of the Charge Centroid in SiCN-Based Charge Trapping Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method
使用恒流载流子注入方法实验提取 SiCN 基电荷捕获存储器中的电荷质心
DOI： 10.1149/07532.0051ecst
发表时间： 2017
期刊： ECS Transactions
影响因子： --
作者： [Sheikh Rashel Al Ahmed, Kaihei Kato, Kiyoteru Kobayashi]
通讯作者： Kiyoteru Kobayashi
定電流キャリヤ注入法を用いた MONOS構造の正孔捕獲特性の評価（Ⅱ）
采用恒流载流子注入法评估MONOS结构的空穴捕获特性（二）
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [田中伸, S. R. A. Ahmed, 加藤海平, 福山耕作, 尾崎航佑, 小林清輝]
通讯作者： 小林清輝
不揮発性半導体メモリのSiNX電荷捕獲層の正孔捕獲特性
非易失性半导体存储器中SiNX电荷捕获层的空穴捕获特性
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [加藤海平, S. R. A. Ahmed, 小林清輝]
通讯作者： 小林清輝
Hole trapping characteristics of SiCN-based charge trapping memories using the constant-current carrier injection method
采用恒流载流子注入法的SiCN基电荷捕获存储器的空穴捕获特性
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [S. R. A. Ahmed, S. Tanaka, and K. Kobayashi]
通讯作者： and K. Kobayashi
共 18 条
    Control of the energy distribution of trap levels in the charge trapping films
    • 批准号：
      18K04244
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Kobayashi Kiyoteru
    • 依托单位：
      Tokai University