Investigation of elucidating a mechanism and the improvement of a performance in graphene memory which operate by electron trap to defects
Investigation of elucidating a mechanism and the improvement of a performance in graphene memory which operate by electron trap to defects
研究阐明通过电子陷阱对缺陷进行操作的石墨烯存储器的机理和性能改进
批准号：
25871039
负责人：
Ichikawa Kazunori
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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プロセスガス制御によるグラフェンの層数制御およびFETの作製
通过工艺气体控制控制石墨烯层数和 FET 制造
通过工艺气体控制控制石墨烯层数和 FET 制造
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松原 暉, 市川和典, 赤松 浩, 須田善行]
通讯作者：
須田善行
市川研究室HP
市川研究所HP
市川研究所HP
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
グラフェンの成長に及ぼす水素および金属触媒膜厚の影響
氢气和金属催化剂膜厚对石墨烯生长的影响
氢气和金属催化剂膜厚对石墨烯生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松原 暉, 市川和典, 赤松 浩, 須田善行, 松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行, 松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行, 市川和典, 松原 暉，市川 和典，赤松 浩，須田 善行]
通讯作者：
松原 暉，市川 和典，赤松 浩，須田 善行
熱CVD法による欠陥0を目指した単層グラフェンの成長条件の検討
使用热CVD方法检查以零缺陷为目标的单层石墨烯的生长条件
使用热CVD方法检查以零缺陷为目标的单层石墨烯的生长条件
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松原 暉, 市川和典, 赤松 浩, 須田善行, 松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行, 松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行, 市川和典, 松原 暉，市川 和典，赤松 浩，須田 善行, 松原 暉，市川 和典, 市川 和典, 市川 和典]
通讯作者：
市川 和典
プロセスガスの制御による単層および多層CVDグラフェンの作り分け技術
通过控制工艺气体生产单层和多层CVD石墨烯的技术
通过控制工艺气体生产单层和多层CVD石墨烯的技术
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松原 暉, 市川和典, 赤松 浩, 須田善行, 松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行, 松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行]
通讯作者：
松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
共 14 条
Investigation of high performance transfer free graphene device with transistor and memory operation
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批准号：16K06281
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
-
财政年份：2016
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负责人：Ichikawa Kazunori
-
依托单位：
海外基金