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Investigation of elucidating a mechanism and the improvement of a performance in graphene memory which operate by electron trap to defects
研究阐明通过电子陷阱对缺陷进行操作的石墨烯存储器的机理和性能改进
基本信息
- 批准号：25871039
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
プロセスガス制御によるグラフェンの層数制御およびFETの作製
通过工艺气体控制控制石墨烯层数和 FET 制造
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：松原 暉;市川和典;赤松 浩;須田善行
- 通讯作者：須田善行
グラフェンの成長に及ぼす水素および金属触媒膜厚の影響
氢气和金属催化剂膜厚对石墨烯生长的影响
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：松原 暉;市川和典;赤松 浩;須田善行;松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行;松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行;市川和典;松原 暉，市川 和典，赤松 浩，須田 善行
- 通讯作者：松原 暉，市川 和典，赤松 浩，須田 善行
熱CVD法による欠陥0を目指した単層グラフェンの成長条件の検討
使用热CVD方法检查以零缺陷为目标的单层石墨烯的生长条件
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：松原 暉;市川和典;赤松 浩;須田善行;松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行;松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行;市川和典;松原 暉，市川 和典，赤松 浩，須田 善行;松原 暉，市川 和典;市川 和典;市川 和典
- 通讯作者：市川 和典
プロセスガスの制御による単層および多層CVDグラフェンの作り分け技術
通过控制工艺气体生产单层和多层CVD石墨烯的技术
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：松原 暉;市川和典;赤松 浩;須田善行;松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行;松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
- 通讯作者：松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
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Investigation of high performance transfer free graphene device with transistor and memory operation
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- 批准号：
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$ 2.91万 - 项目类别：
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- 批准号：
15K00021 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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14J09191 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
26330059 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
26420280 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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针对单电子现象引起的错误的缩放 NAND 闪存系统的基础研究
- 批准号：
25820148 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)