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A fundamental study for a scaled NAND flash memory system resistive to errors induced by single-electron phenomenon
针对单电子现象引起的错误的缩放 NAND 闪存系统的基础研究
基本信息
- 批准号：25820148
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Substrate Doping Concentration Dependence on Random Telegraph Noise Spatial and Statistical Distribution in 30nm NAND Flash Memory
30nm NAND 闪存中衬底掺杂浓度对随机电报噪声空间和统计分布的依赖性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：富田季宏;宮地幸祐;Toshihiro Tomita and Kousuke Miyaji
- 通讯作者：Toshihiro Tomita and Kousuke Miyaji
3次元デバイスシミュレーションを用いた30 nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTN統計分布の浮遊ゲート内電荷量及びトラップ個数依存性解析
使用 3D 器件仿真分析 30 nm 代 NAND 闪存中 RTN 统计分布对浮栅电荷量和陷阱数量的依赖性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：富田季宏;宮地幸祐
- 通讯作者：宮地幸祐
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MIYAJI Kousuke其他文献
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