A fundamental study for a scaled NAND flash memory system resistive to errors induced by single-electron phenomenon
A fundamental study for a scaled NAND flash memory system resistive to errors induced by single-electron phenomenon
针对单电子现象引起的错误的缩放 NAND 闪存系统的基础研究
批准号：
25820148
负责人：
MIYAJI Kousuke
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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会议论文
Substrate Doping Concentration Dependence on Random Telegraph Noise Spatial and Statistical Distribution in 30nm NAND Flash Memory
30nm NAND 闪存中衬底掺杂浓度对随机电报噪声空间和统计分布的依赖性
30nm NAND 闪存中衬底掺杂浓度对随机电报噪声空间和统计分布的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[富田季宏, 宮地幸祐, Toshihiro Tomita and Kousuke Miyaji]
通讯作者：
Toshihiro Tomita and Kousuke Miyaji
3次元デバイスシミュレーションを用いた30 nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTN統計分布の浮遊ゲート内電荷量及びトラップ個数依存性解析
使用 3D 器件仿真分析 30 nm 代 NAND 闪存中 RTN 统计分布对浮栅电荷量和陷阱数量的依赖性
使用 3D 器件仿真分析 30 nm 代 NAND 闪存中 RTN 统计分布对浮栅电荷量和陷阱数量的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[富田季宏, 宮地幸祐]
通讯作者：
宮地幸祐
宮地研究室ウェブサイト業績リスト
宫地实验室网站成果一览
宫地实验室网站成果一览
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
海外基金
