Microstructure control and elucidation of thermoelectric properties of layered Zintl phase semiconductors by fine synthesis process
Microstructure control and elucidation of thermoelectric properties of layered Zintl phase semiconductors by fine synthesis process
通过精细合成工艺控制层状 Zintl 相半导体的微观结构和热电性能
批准号：
18K04791
负责人：
Tani Jun-ichi
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
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放電プラズマ焼結法により作製したMg3Sb2の微細組織と熱電特性
放电等离子烧结法制备Mg3Sb2的显微结构和热电性能
放电等离子烧结法制备Mg3Sb2的显微结构和热电性能
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[谷淳一, 品川勉, 千金正也, 谷淳一]
通讯作者：
谷淳一
DOI：
10.1016/j.physb.2020.412173
发表时间：
2020-07
期刊：
Physica B-condensed Matter
影响因子：
2.8
作者：
[J. Tani;H. Ishikawa]
通讯作者：
J. Tani;H. Ishikawa
Mg系熱電半導体の合成プロセスと高性能化
镁基热电半导体的合成工艺及性能改进
镁基热电半导体的合成工艺及性能改进
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
科学と工業
影响因子：
--
作者：
[谷 淳一, 石川弘通]
通讯作者：
石川弘通
放電プラズマ焼結法により合成した3族元素ドープMg3Sb2の熱電特性
放电等离子体烧结法合成第3族元素掺杂Mg3Sb2的热电性能
放电等离子体烧结法合成第3族元素掺杂Mg3Sb2的热电性能
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[谷淳一, 石川弘通]
通讯作者：
石川弘通
DOI：
10.1016/j.tsf.2019.137601
发表时间：
2019-10
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
[J. Tani;H. Ishikawa]
通讯作者：
J. Tani;H. Ishikawa
共 13 条
Higher performance and nanostructural control of Mg-based thermoelectric semiconductors
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批准号：15K06520
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2015
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负责人：Tani Jun-ichi
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依托单位：
海外基金