Carrier generation in wide-gap p-type semiconductors with their valence band composed of metal s-orbital
价带由金属 s 轨道组成的宽禁带 p 型半导体中的载流子生成
基本信息
- 批准号:18K05285
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(18)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Preparation of Wide Gap n-Type Sn2Ta2O7 Polycrystalline Films by Magnetron Sputtering
磁控溅射法制备宽禁带n型Sn2Ta2O7多晶薄膜
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Suzuki Shunichi;Kikuchi Naoto;Aiura Yoshihiro;Nishio Keishi
- 通讯作者:Nishio Keishi
ワイドギャップp型酸化物Sn2Nb2O7における構造欠陥量と電気物性との相関
宽禁带p型氧化物Sn2Nb2O7结构缺陷量与电性能的相关性
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:三溝朱音;永田晋哉;菊地直人;相浦義弘;西尾圭史
- 通讯作者:西尾圭史
Electrical and optical properties of wide-gap n-type Sn2Ta2O7 films
- DOI:10.1116/1.5081991
- 发表时间:2019-02
- 期刊:
- 影响因子:2.9
- 作者:Shunichi Suzuki;K. Nishio;N. Kikuchi
- 通讯作者:Shunichi Suzuki;K. Nishio;N. Kikuchi
マテリアルズ・インフォマティクス開発事例最前線
最前沿材料信息学发展实例
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:伊藤聡;田村亮;津田宏治;犬丸啓;折井靖光;戸田浩樹;廣瀬修一;小林正和;金子弘昌;田中譲; 藤間淳;上野哲朗;小野寛太;藤本憲次郎;他
- 通讯作者:他
Carrier Generation in p-Type Wide-Gap Oxide: SnNb2O6 Foordite
- DOI:10.1021/acs.chemmater.8b03408
- 发表时间:2018-11
- 期刊:
- 影响因子:8.6
- 作者:A. Samizo;N. Kikuchi;Y. Aiura;K. Nishio;K. Mibu
- 通讯作者:A. Samizo;N. Kikuchi;Y. Aiura;K. Nishio;K. Mibu
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可同时充当卤键供体和受体的低聚噻吩的合成和结构
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- 影响因子:0
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岡本尚大,橋本塁人,中野義明,石川学,矢持秀起
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- 影响因子:3.9
- 作者:
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Nishio Keishi
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10.1021/acs.jpcc.0c11423 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Samizo Akane;Minohara Makoto;Kikuchi Naoto;Bando Kyoko K.;Aiura Yoshihiro;Mibu Ko;Nishio Keishi - 通讯作者:
Nishio Keishi
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标准化干湿环境下精细陶瓷薄膜摩擦磨损试验方法的努力
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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草野英二 他5名
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低温温度计用光纤光栅和双金属片的性能评估
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Minohara Makoto;Samizo Akane;Kikuchi Naoto;Bando Kyoko K.;Yoshida Yoshiyuki;Aiura Yoshihiro;清水洋孝 - 通讯作者:
清水洋孝
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23K19266 - 财政年份:2023
- 资助金额:
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows