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Carrier generation in wide-gap p-type semiconductors with their valence band composed of metal s-orbital
价带由金属 s 轨道组成的宽禁带 p 型半导体中的载流子生成
基本信息
- 批准号：18K05285
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（18）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
マテリアルズ・インフォマティクス開発事例最前線
最前沿材料信息学发展实例
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：伊藤聡;田村亮;津田宏治;犬丸啓;折井靖光;戸田浩樹;廣瀬修一;小林正和;金子弘昌;田中譲; 藤間淳;上野哲朗;小野寛太;藤本憲次郎;他
- 通讯作者：他
Electrical and optical properties of wide-gap n-type Sn2Ta2O7 films
- DOI：10.1116/1.5081991
- 发表时间：2019-02
- 期刊：
- 影响因子：2.9
- 作者：Shunichi Suzuki;K. Nishio;N. Kikuchi
- 通讯作者：Shunichi Suzuki;K. Nishio;N. Kikuchi
Carrier Generation in p-Type Wide-Gap Oxide: SnNb2O6 Foordite
- DOI：10.1021/acs.chemmater.8b03408
- 发表时间：2018-11
- 期刊：
- 影响因子：8.6
- 作者：A. Samizo;N. Kikuchi;Y. Aiura;K. Nishio;K. Mibu
- 通讯作者：A. Samizo;N. Kikuchi;Y. Aiura;K. Nishio;K. Mibu
新規p型ワイドギャップSn2+酸化物SnNb2O6における正孔生成
新型 p 型宽禁带 Sn2+ 氧化物 SnNb2O6 中的空穴生成
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三溝朱音;菊地直人;相浦義弘;西尾圭史
- 通讯作者：西尾圭史
p型三元系Sn2+酸化物における正孔生成と酸素欠陥生成による電荷補償
p型三元Sn2+氧化物中空穴生成和氧缺陷生成的电荷补偿
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三溝 朱音;菊地 直人;簔原 誠人;阪東 恭子;相浦 義弘;西尾圭史
- 通讯作者：西尾圭史
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Kikuchi Naoto其他文献
ハロゲン結合の供与体、受容体の両方になり得るオリゴチオフェンの合成と構造
可同时充当卤键供体和受体的低聚噻吩的合成和结构
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Samizo Akane;Kikuchi Naoto;Aiura Yoshihiro;Nishio Keishi;渡辺啓太，松澤幸一，足立吉徳，池上芳，大城善郎，永井崇昭，門田隆二，石原顕光;岡本尚大，橋本塁人，中野義明，石川学，矢持秀起 - 通讯作者：
岡本尚大，橋本塁人，中野義明，石川学，矢持秀起
Disorders and oxygen vacancies in p‐type Sn2B2O7 (B=Nb, Ta): Role of the B‐site element
p 型 Sn2B2O7 (B=Nb, Ta) 中的无序和氧空位：B 位元素的作用
- DOI：
10.1111/jace.18830 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：3.9
- 作者：
Samizo Akane;Minohara Makoto;Kikuchi Naoto;Ando Kenta;Mazuka Yuta;Nishio Keishi - 通讯作者：
Nishio Keishi
Site-Selective Oxygen Vacancy Formation Derived from the Characteristic Crystal Structures of Sn-Nb Complex Oxides
Sn-Nb 复合氧化物特征晶体结构衍生的位点选择性氧空位形成
- DOI：
10.1021/acs.jpcc.0c11423 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Samizo Akane;Minohara Makoto;Kikuchi Naoto;Bando Kyoko K.;Aiura Yoshihiro;Mibu Ko;Nishio Keishi - 通讯作者：
Nishio Keishi
乾燥および高湿環境におけるファインセラミックス薄膜摩擦摩耗試験方法の標準化への取り組み
标准化干湿环境下精细陶瓷薄膜摩擦磨损试验方法的努力
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kusano Eiji;Kikuchi Naoto;草野 英二;草野英二 他5名 - 通讯作者：
草野英二 他5名
極低温温度計用FBG 及びバイメタルの性能評価
低温温度计用光纤光栅和双金属片的性能评估
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Minohara Makoto;Samizo Akane;Kikuchi Naoto;Bando Kyoko K.;Yoshida Yoshiyuki;Aiura Yoshihiro;清水洋孝 - 通讯作者：
清水洋孝
Kikuchi Naoto的其他文献
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{{ truncateString('Kikuchi Naoto', 18)}}的其他基金
A comparative study on the legal status of the insured in insurance law.
保险法中被保险人法律地位的比较研究
- 批准号：
15K03235 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
電子活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索
利用电子活性空洞寻找新型 p 型半导体和发光材料
- 批准号：
23K19266 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
赤外光による水の酸化を目指した新規プラズモニックp型半導体ナノ粒子の開発
开发新型等离激元p型半导体纳米粒子，旨在通过红外光氧化水
- 批准号：
23KJ1171 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Exploration of p-type semiconductor chimneys at seafloor based on microstructural analysis and thermoelectric characterization
基于微观结构分析和热电表征的海底 p 型半导体烟囱勘探
- 批准号：
22K18723 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
第一原理計算に基づいたp型半導体材料の設計と探索
基于第一性原理计算的p型半导体材料的设计与探索
- 批准号：
20J23137 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of Silicide base p-type semiconductor and thermoelectric power generation module operating in mid-high temperature range
硅化物基p型半导体及中高温温差发电模块的开发
- 批准号：
17H03221 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of plasmon induced charge separation systems at the interface between a metal nanoparticle and a p-type semiconductor
金属纳米颗粒和 p 型半导体界面等离激元诱导电荷分离系统的开发
- 批准号：
16K14547 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
P型半導体によるSLHC対応のシリコンマイクロストリップ測定器開発
使用P型半导体开发与SLHC兼容的硅微带测量装置
- 批准号：
20025007 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Preparation and photoelectrochemical properties of nanoporous p-type semiconductor films for dye-sensitized p-n solar cells
染料敏化p-n太阳能电池纳米孔p型半导体薄膜的制备及光电化学性能
- 批准号：
18592744 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Research Grants
p型半導体/色素自己組職化複合薄膜を用いる反転型太陽電池
采用p型半导体/染料自组装复合薄膜的倒置太阳能电池
- 批准号：
15655047 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
P型半導体として銅化合物を使用した色素増感太陽電池の固体化技術開発
开发使用铜化合物作为P型半导体的染料敏化太阳能电池的固态技术
- 批准号：
02F00187 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows