Carrier generation in wide-gap p-type semiconductors with their valence band composed of metal s-orbital
Carrier generation in wide-gap p-type semiconductors with their valence band composed of metal s-orbital
价带由金属 s 轨道组成的宽禁带 p 型半导体中的载流子生成
批准号：
18K05285
负责人：
Kikuchi Naoto
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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マテリアルズ・インフォマティクス開発事例最前線
最前沿材料信息学发展实例
最前沿材料信息学发展实例
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤聡, 田村亮, 津田宏治, 犬丸啓, 折井靖光, 戸田浩樹, 廣瀬修一, 小林正和, 金子弘昌, 田中譲, 藤間淳, 上野哲朗, 小野寛太, 藤本憲次郎, 他]
通讯作者：
他
DOI：
10.1116/1.5081991
发表时间：
2019-02
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology A
影响因子：
2.9
作者：
[Shunichi Suzuki;K. Nishio;N. Kikuchi]
通讯作者：
Shunichi Suzuki;K. Nishio;N. Kikuchi
DOI：
10.1021/acs.chemmater.8b03408
发表时间：
2018-11
期刊：
Chemistry of Materials
影响因子：
8.6
作者：
[A. Samizo;N. Kikuchi;Y. Aiura;K. Nishio;K. Mibu]
通讯作者：
A. Samizo;N. Kikuchi;Y. Aiura;K. Nishio;K. Mibu
新規p型ワイドギャップSn2+酸化物SnNb2O6における正孔生成
新型 p 型宽禁带 Sn2+ 氧化物 SnNb2O6 中的空穴生成
新型 p 型宽禁带 Sn2+ 氧化物 SnNb2O6 中的空穴生成
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[三溝朱音, 菊地直人, 相浦義弘, 西尾圭史]
通讯作者：
西尾圭史
p型三元系Sn2+酸化物における正孔生成と酸素欠陥生成による電荷補償
p型三元Sn2+氧化物中空穴生成和氧缺陷生成的电荷补偿
p型三元Sn2+氧化物中空穴生成和氧缺陷生成的电荷补偿
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[三溝 朱音, 菊地 直人, 簔原 誠人, 阪東 恭子, 相浦 義弘, 西尾圭史]
通讯作者：
西尾圭史
共 17 条
A comparative study on the legal status of the insured in insurance law.
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批准号：15K03235
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.25万
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财政年份：2015
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负责人：Kikuchi Naoto
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依托单位：
海外基金