Development of Silicide base p-type semiconductor and thermoelectric power generation module operating in mid-high temperature range
Development of Silicide base p-type semiconductor and thermoelectric power generation module operating in mid-high temperature range
硅化物基p型半导体及中高温温差发电模块的开发
批准号：
17H03221
负责人：
Nishio Keishi
金额：
$11.48万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Automation of Crystal Structure Refinement Using the Rietveld Analysis
使用 Rietveld 分析自动化晶体结构细化
使用 Rietveld 分析自动化晶体结构细化
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yusuke YAMADA, Minoru GIBU, Shogo YOSHIDA, Yuki YAMAGUCHI, Akihisa AIMI, Keishi NISHIO and Kenjiro FUJIMOTO, 山田 悠介・秋葉 奎洲・相見 晃久・西尾 圭史・藤本 憲次郎, Akihisa Aimi and Kenjiro Fujimoto]
通讯作者：
Akihisa Aimi and Kenjiro Fujimoto
（Ca,Bi)MnO3-δの合成最適化および結晶構造と熱電能の相関
(Ca,Bi)MnO3-δ的合成优化及晶体结构与热电势的相关性
(Ca,Bi)MnO3-δ的合成优化及晶体结构与热电势的相关性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kenjiro Fujimoto, Yusuke Yamada, Akihisa Aimi, Keishi Nishio and Shingo Maruyama, 山田 悠介・相見 晃久・西尾 圭史・藤本 憲次郎]
通讯作者：
山田 悠介・相見 晃久・西尾 圭史・藤本 憲次郎
Substitutional and interstitial impurity p-type doping of thermoelectric Mg2Si: a theoretical study
热电Mg2Si的取代和间隙杂质p型掺杂：理论研究
热电Mg2Si的取代和间隙杂质p型掺杂：理论研究
DOI：
10.1080/14686996.2019.1580537
发表时间：
2019
期刊：
Science and Technology of Advanced Materials
影响因子：
5.5
作者：
[Hirayama Naomi, Iida Tsutomu, Sakamoto Mariko, Nishio Keishi, Hamada Noriaki]
通讯作者：
Hamada Noriaki
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kenjiro FUJIMOTO, Akihisa AIMI, Shingo MARUYAMA]
通讯作者：
Shingo MARUYAMA
Synthesis of higher manganese silicide by spark plasma sintering and planetary ball milling and thermoelectric performance evaluation
放电等离子烧结行星球磨合成高硅化锰及热电性能评价
放电等离子烧结行星球磨合成高硅化锰及热电性能评价
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mikiyasu Hirakawa, Tomoyuki Nakamura, Kenjiro Fujimoto, Ryuji Tamura and Keishi Nishio]
通讯作者：
Ryuji Tamura and Keishi Nishio
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