Elucidation of Cu diffusion barrier mechanism and control of Cu diffusion coefficient in W-atom-encapsulated Si cage clusters film
Elucidation of Cu diffusion barrier mechanism and control of Cu diffusion coefficient in W-atom-encapsulated Si cage clusters film
W原子封装Si笼状团簇膜中Cu扩散势垒机制的阐明和Cu扩散系数的控制
批准号：
18K13794
负责人：
OKADA NAOYA
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(14)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
微細CMOS向け新コンタクト材料：クラスター気相合成法で形成したSiリッチWシリサイド膜
精细CMOS新型接触材料：团簇气相合成法形成富硅钨硅化物薄膜
精细CMOS新型接触材料：团簇气相合成法形成富硅钨硅化物薄膜
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama, 岡田 直也]
通讯作者：
岡田 直也
導電性積層体及び電子素子
导电层压板和电子器件
导电层压板和电子器件
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Cluster-Preforming-Deposited Si-rich W Silicide: A New Contact Material for Advanced CMOS
团簇预成型沉积富硅钨硅化物：一种用于先进 CMOS 的新型接触材料
团簇预成型沉积富硅钨硅化物：一种用于先进 CMOS 的新型接触材料
DOI：
10.1149/08903.0155ecst
发表时间：
2019
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama]
通讯作者：
and Toshihiko Kanayama
Gas-phase reactions of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films free from powder formation
WF6 与 SiH4 的气相反应用于沉积无粉末形成的 WSin 薄膜
WF6 与 SiH4 的气相反应用于沉积无粉末形成的 WSin 薄膜
DOI：
10.7567/1347-4065/ab01d4
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama]
通讯作者：
and Toshihiko Kanayama
Identification of different gas-phase reaction modes of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films: powder formation and WSin cluster synthesis
WF6 与 SiH4 沉积 WSin 薄膜的不同气相反应模式的识别：粉末形成和 WSin 簇合成
WF6 与 SiH4 沉积 WSin 薄膜的不同气相反应模式的识别：粉末形成和 WSin 簇合成
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama]
通讯作者：
and Toshihiko Kanayama
共 14 条
海外基金