Elucidation of Cu diffusion barrier mechanism and control of Cu diffusion coefficient in W-atom-encapsulated Si cage clusters film

W原子封装Si笼状团簇膜中Cu扩散势垒机制的阐明和Cu扩散系数的控制

基本信息

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项目成果

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微細CMOS向け新コンタクト材料:クラスター気相合成法で形成したSiリッチWシリサイド膜
精细CMOS新型接触材料:团簇气相合成法形成富硅钨硅化物薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Naoya Okada;Noriyuki Uchida;Shinichi Ogawa;and Toshihiko Kanayama;岡田 直也
  • 通讯作者:
    岡田 直也
導電性積層体及び電子素子
导电层压板和电子器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Cluster-Preforming-Deposited Si-rich W Silicide: A New Contact Material for Advanced CMOS
团簇预成型沉积富硅钨硅化物:一种用于先进 CMOS 的新型接触材料
  • DOI:
    10.1149/08903.0155ecst
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Naoya Okada;Noriyuki Uchida;Shinichi Ogawa;and Toshihiko Kanayama
  • 通讯作者:
    and Toshihiko Kanayama
Gas-phase reactions of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films free from powder formation
WF6 与 SiH4 的气相反应用于沉积无粉末形成的 WSin 薄膜
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab01d4
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Naoya Okada;Noriyuki Uchida;Shinichi Ogawa;and Toshihiko Kanayama
  • 通讯作者:
    and Toshihiko Kanayama
Identification of different gas-phase reaction modes of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films: powder formation and WSin cluster synthesis
WF6 与 SiH4 沉积 WSin 薄膜的不同气相反应模式的识别:粉末形成和 WSin 簇合成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Naoya Okada;Noriyuki Uchida;Shinichi Ogawa;and Toshihiko Kanayama
  • 通讯作者:
    and Toshihiko Kanayama
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