Electric field effects at metal-semiconductor and semiconductor-water interfaces

电子科学与技术研究中心：电子科学与技术研究中心：电子科学与技术研究中心：电子科学与技术研究中心：电子科学与技术研究中心；电子科学与技术研究中心：电子化学与技术研究中心。Trotzdem ist das microskopische Verständnis solcher Effekte begrenzt。在数学工程中，数学几何学与电子力学与金属力学的结合研究与应用研究与应用研究与应用研究与应用研究与应用研究与应用研究。[2] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]Obwohl diese Zustände intensiv untersucht worden sind, world ihre genaue Rolle kontrovers diskutiert- Zusätzlich sollen elektrische Feldeffekte and der Halbleiter-Wasser-Grenzfläche studiert werden, die relevant f<s:1> r elektrokatalytische Prozesse sind, die in elektrochemischen Zellen vorkommen。

Elektrische Feldeffekte an Grenzflächen spielen ein technologisch sehr wichtige Rolle auf vielen Gebieten, von elektronischen Bauelementen bis zu elektrochemischen Prozessen, wie sie z.B. in Brennstoffzellen vorkommen. Trotzdem ist das mikroskopische Verständnis solcher Effekte begrenzt. In diesem Projekt soll daher die geometrischen und elektronische Struktur von Metall-Halbleiter- und Halbleiter-Wasser-Grenzflächen in der Gegenwart von elektrischen Feldern mit Hilfe eines auf der Dichtefunktionaltheorie basierenden Streuformalismus untersucht werden.Wir werden vor allem metallinduzierte Lückenzustände in der Bandlücke von Halbleitern an Metall-Halbleiter-Grenzflächen betrachten, die von großer Wichtigkeit für elektronische Bauelemente wie z.B. Gleichrichter sind. Obwohl diese Zustände intensiv untersucht worden sind, wird ihre genaue Rolle kontrovers diskutiert- Zusätzlich sollen elektrische Feldeffekte an der Halbleiter-Wasser-Grenzfläche studiert werden, die relevant für elektrokatalytische Prozesse sind, die in elektrochemischen Zellen vorkommen.