Theoretische Behandlung der Reaktionsdynamik an Oberflächen mit elektronischen Übergängen

Ziel dieses Projektes ist die quantitative Beschreibung der Reaktionsdynamik an Oberflächen mit elektronischen Übergängen unter Berücksichtigung阿勒relevanten Freiheitsgrade.在所有的自由度等级上的量子力学测试中，只有半经典的测试才是正确的，在经典的测试中，量子力学对电子学的影响是相互关联的，这是由于自适应的Rückkopplung zwischen klassischen和量子力学的自由度等级被修改了。大足县有许多不同的答复，他们的质量经常受到竞争系统的影响。在这一课题中，电子非线性动力学模拟的实现，在与量子力学模型研究的比较中得到了验证，而福尔斯却没有发现，因此韦尔登是正确的。因此，在高维的分子动力学模拟中，我们可以通过韦尔登诱导NO/NiO（100）的脱附和金刚石对I2离子的电离，来研究电子加工的动力学过程。

Ziel dieses Projektes ist die quantitative Beschreibung der Reaktionsdynamik an Oberflächen mit elektronischen Übergängen unter Berücksichtigung aller relevanten Freiheitsgrade. Da quantenmechanische Verfahren im allgemeinen auf wenige Freiheitsgrade beschränkt sind, sollen semiklassische Verfahren verwendet werden, bei denen die Kernbewegung zwar klassisch behandelt wird, die quantenmechanischen Effekte der elektronischen Übergänge inklusive der selbstkonsistenten Rückkopplung zwischen klassischen und quantenmechanischen Freiheitsgraden aber korrekt mitgenommen werden. Dazu existieren bereits vielversprechende Ansätze, deren Qualität jedoch oft von dem betrachteten System abhängt. In diesem Projekt sollen daher Algorithmen, die Molekulardynamiksimulationen mit elektronischen Übergängen erlauben, implementiert, im Vergleich mit exakten quantenmechanischen Modellstudien getestet, und, falls nötig, verbessert werden. Danach sollen sie in hochdimensionalen Molekulardynamiksimulationen der Ionisierung von I2 bei Streuung an Diamant und der Laser-induzierten Desorption von NO/NiO(100) verwendet werden, um die Dynamik der elektronischen Anregungsprozesse zu untersuchen und Übergangswahrscheinlichkeiten berechnen zu können.