Study on tunnel field effect transistors for ultra-low power analog devices
Study on tunnel field effect transistors for ultra-low power analog devices
超低功耗模拟器件用隧道场效应晶体管的研究
批准号：
19K21084
负责人：
GOTOW TAKAHIRO
金额：
$1.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-08-24 至 2020-03-31
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Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile
使用突变源杂质分布改善 p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As 异质结垂直 TFET 的 ION 和 S.S. 值
使用突变源杂质分布改善 p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As 异质结垂直 TFET 的 ION 和 S.S. 值
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Gotow, M. Mitsuharu, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi]
通讯作者：
S. Takagi
材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化
通过材料工程提高隧道场效应晶体管的性能
通过材料工程提高隧道场效应晶体管的性能
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
電子情報通信学会論文誌 C
影响因子：
--
作者：
[(2)高木信一, 加藤公彦, 安大煥, 後藤高寛, 松村亮, 高口遼太郎, 竹中充]
通讯作者：
竹中充
InP基板上引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加による結晶性劣化の比較
InP 衬底上拉伸应变 GaAsSb 和 InGaAs 因膜厚增加而导致结晶度劣化的比较
InP 衬底上拉伸应变 GaAsSb 和 InGaAs 因膜厚增加而导致结晶度劣化的比较
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 後藤高寛, 竹中充, 高木信一]
通讯作者：
高木信一
Performance enhancement of Si MOSFETs using anti-ferroelectric thin films as gate insulators
使用反铁电薄膜作为栅极绝缘体增强 Si MOSFET 的性能
使用反铁电薄膜作为栅极绝缘体增强 Si MOSFET 的性能
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Yamaguchi, T. Gotow, M. Takenaka, S. Takagi]
通讯作者：
S. Takagi
MOS Device Technology using Alternative Channel Materials for Low Power Logic LSI
使用替代沟道材料的 MOS 器件技术用于低功耗逻辑 LSI
使用替代沟道材料的 MOS 器件技术用于低功耗逻辑 LSI
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[(5)S. Takagi, K. Kato, W.-K. Kim, K. Jo, R. Matsumura, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, T. Gotow, M. Takenaka]
通讯作者：
M. Takenaka
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