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Precise and quick prediction of electron conduction levels in organic semiconductors using machine learning
使用机器学习精确快速预测有机半导体中的电子传导水平
基本信息
- 批准号：23K17900
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-06-30 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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吉田 弘幸其他文献
拡張π電子共役系を導入した強誘電性液晶におけるバルク光起電力効果
结合扩展π电子共轭系统的铁电液晶中的体光伏效应
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石井 宏幸;吉田 弘幸;小林 伸彦;舟橋正浩 - 通讯作者：
舟橋正浩
電気化学測定による還元電位からの有機半導体の電子親和力予測法の再検討
重新审查通过电化学测量测量的还原电位预测有机半导体电子亲和势的方法
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
久保 美潤;吉田 弘幸 - 通讯作者：
吉田 弘幸
Synthetic and Coordination Chemistry in Cavity Quantum Electrodynamics
腔量子电动力学中的合成与配位化学
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石井 宏幸;吉田 弘幸;小林 伸彦;舟橋正浩;Kenji Hirai - 通讯作者：
Kenji Hirai
有機薄膜太陽電池の電子状態間のエネルギー差と電荷生成効率の相関
有机薄膜太阳能电池电子态能量差与电荷产生效率的相关性
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
中野 恭兵;Chen Yujiao;Han Weining;Huang Jianming;吉田 弘幸;但馬 敬介 - 通讯作者：
但馬 敬介
電気化学反応により作製したAgナノ粒子の表面プラズモン共鳴による逆光電子放出強度の増強
电化学反应制备银纳米粒子表面等离子体共振增强反向光电子发射强度
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
薄井 亮太;柴田 幸輝;杉田 朋子;小林 範久;吉田 弘幸 - 通讯作者：
吉田 弘幸
吉田 弘幸的其他文献
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{{ truncateString('吉田 弘幸', 18)}}的其他基金
有機半導体のn型特性の限界打破にむけた有機半導体電子伝導機構の解明
阐明有机半导体电子传导机制，突破有机半导体n型特性限制
- 批准号：
24H00446 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Observation of conduction band structure of organic semiconductor and study of electron-phonon coupling
有机半导体导带结构观察及电子声子耦合研究
- 批准号：
21H01902 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
有機半導体薄膜上に付着した金属クラスターの反応性・拡散性の研究
有机半导体薄膜上附着的金属团簇的反应性和扩散性研究
- 批准号：
16750011 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
負の電子親和力表面の設計と電子放出過程の研究
负电子亲和势表面设计及电子发射过程研究
- 批准号：
14350003 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
負性電子親和力窒化炭素材料からのフィールドエミッション
负电子亲和势氮化碳材料的场发射
- 批准号：
12875122 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
ダイヤモンド薄膜結晶の電子帯構造と負性電子親和力
金刚石薄膜晶体的电子能带结构和负电子亲和势
- 批准号：
11875007 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
負の電子親和力をもつGa As表面の形成過程とスピンメモリー
负电子亲和力和自旋记忆GaAs表面的形成过程
- 批准号：
98F00037 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
負の電子親和力状態表面の微視的構造の研究
负电子亲和势表面微观结构研究
- 批准号：
07650028 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
負の電子親和力を持つGaAS光電面の光電子放出機構に関する研究
负电子亲和势GaAS光电阴极光电子发射机理研究
- 批准号：
05855006 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
銅クラスター酸化物の電子親和力の測定
铜簇氧化物电子亲和力的测量
- 批准号：
01740285 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
高電流密度電子線源に用いる負の電子親和力GaAs光電子放出材料に関する研究
高电流密度电子束源用负电子亲和势砷化镓光电发射材料研究
- 批准号：
62550011 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
しきい光電子分光法による金属陰イオンクラスターの電子親和力の決定
阈值光电子能谱法测定金属阴离子簇的电子亲和力
- 批准号：
62606520 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
熱陰イオン生成式質量分析法による電子親和力の測定
使用热阴离子产生质谱法测量电子亲和力
- 批准号：
57540250 - 财政年份：1982
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)