刷新
{{item.name}}会员
Photocatalytic bonding reactions under high-pressured conditions
高压条件下的光催化键合反应
基本信息
- 批准号：23K17953
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-06-30 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
宮内 雅浩其他文献
光誘起吸収分光法を用いた光触媒反応の温度依存性の解明
使用光诱导吸收光谱阐明光催化反应的温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
張 葉平;Tianhao He;Benjamin Moss;Caiwu Liang;Lei Tian;Lucy Jessica Fiona Hart;Anna A. Wilson;Junyi Cui;Mengya Yang;Salvador Eslava;山口 晃;宮内 雅浩;James R Durrant - 通讯作者：
James R Durrant
散乱制御のためのサブミクロン球状粒子の作製技術とその応用
散射控制亚微米球形颗粒的制备技术及其应用
- DOI：
- 发表时间：
2014 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
越崎 直人;石川 善恵;Alexander PYATENKO;宮内 雅浩 - 通讯作者：
宮内 雅浩
メタンドライフォーミング反応における高活性触媒の開発
甲烷干法反应高活性催化剂的研制
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
藤田 武志;Peng Xiaobo;宮内 雅浩;阿部 英樹 - 通讯作者：
阿部 英樹
YOxHyエピタキシャル薄膜における光誘起物性
YOxHy 外延薄膜的光致物理特性
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
小松 遊矢;清水 亮太;西尾 和記;宮内 雅浩;ビルデ マーカス;福谷 克之;一杉 太郎 - 通讯作者：
一杉 太郎
宮内 雅浩的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('宮内 雅浩', 18)}}的其他基金
選択的酸化機能を付与した光触媒による有用物質製造
利用具有选择性氧化功能的光催化剂生产有用物质
- 批准号：
23K26735 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Photocatalytic valuable substance production by selective oxidation
通过选择性氧化光催化生产有价物质
- 批准号：
23H02042 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高効率ホール輸送層を備えた有機―無機ハイブリッド太陽電池の開発
开发具有高效空穴传输层的有机-无机杂化太阳能电池
- 批准号：
12F02379 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低欠陥ドーピングと界面電荷移動プロセスを利用した新規可視光光触媒の開発
利用低缺陷掺杂和界面电荷转移工艺开发新型可见光光催化剂
- 批准号：
10F00208 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
高圧高温熱処理による高品質インジウム系窒化物半導体の創製と熱電素子応用
通过高压、高温热处理制备高品质铟基氮化物半导体并应用于热电器件
- 批准号：
21H01831 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma
半导体表面纳米结构用于高压氢等离子体光学管理
- 批准号：
20H02049 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
An approach from high pressure and high temperature method in order to clarify the mechanism of Kondo semiconductor with novel antiferromagnetic properties.
采用高压和高温方法来阐明具有新颖反铁磁特性的近藤半导体的机理。
- 批准号：
15K17687 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
MRI: Development of a high-pressure MOCVD for III-nitride semiconductor devices
MRI：开发用于 III 族氮化物半导体器件的高压 MOCVD
- 批准号：
0821590 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Standard Grant
Guest-Host Interaction and High-pressure Phase Transitions in Semiconductor Clathrates Studied by Raman Spectromopy
通过拉曼光谱研究半导体包合物中的客主相互作用和高压相变
- 批准号：
18540315 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高圧下強磁場電子スピン共鳴と磁気光学測定によるナローギャップ有機半導体の研究
利用高压强场电子自旋共振和磁光测量研究窄带隙有机半导体
- 批准号：
18028017 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体クラスレート骨格を持つ新規超伝導体の高圧合成と物性評価
半导体笼形骨架新型超导体的高压合成及物性评价
- 批准号：
18750182 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
新しい半導体クラスレートの超伝導と構造安定性に関する低温超高圧ラマン散乱研究
新型半导体包合物超导性和结构稳定性的低温超高压拉曼散射研究
- 批准号：
16740174 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
ルテニウムパイロクロアの高圧合成と金属半導体転移
烧绿石钌的高压合成及金属-半导体转变
- 批准号：
14038220 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
超高圧低温下における混晶半導体中の深い緩和準位に関する研究
超高压低温下混晶半导体深度弛豫能级研究
- 批准号：
04640317 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)