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nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma
半导体表面纳米结构用于高压氢等离子体光学管理
基本信息
- 批准号：20H02049
- 负责人：
- 金额：$ 11.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（15）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
高密度中圧プラズマを用いた極薄シリコンウエハ用ゲッタリング層の形成とその特性評価
高密度中压等离子体超薄硅片吸杂层形成及其特性评价
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Obonai Akiyoshi;Kogawa Takuma;Kanda Yuki;Oluwafemi Oluwatobi S.;Kodama Tetsuya;Komiya Atsuki;野村俊光，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌
- 通讯作者：野村俊光，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌
Surface nanostructuring of silicon by intermediate-pressure hydrogen plasma treatment
中压氢等离子体处理硅表面纳米结构
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Toshimitsu Nomura;Kenta Kimoto;Hiroaki Kakiuchi;Kiyoshi Yasutake;Hiromasa Ohmi
- 通讯作者：Hiromasa Ohmi
高密度中圧水素プラズマを用いたシリコンナノコーン創成－結晶面方位とナノ構造の相関－
使用高密度中压氢等离子体创建硅纳米锥 - 晶面取向和纳米结构之间的相关性 -
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Tomokazu Sano;Takayuki Eimura;Akio Hirose;多村尚起，野村俊光，垣内弘章，大参宏昌
- 通讯作者：多村尚起，野村俊光，垣内弘章，大参宏昌
Study on silicon removal property and surface smoothing phenomenon by moderate-pressure microwave hydrogen plasma
- DOI：10.1016/j.mssp.2021.105780
- 发表时间：2021-07
- 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：H. Ohmi;K. Kimoto;T. Nomura;H. Kakiuchi;K. Yasutake
- 通讯作者：H. Ohmi;K. Kimoto;T. Nomura;H. Kakiuchi;K. Yasutake
中圧水素プラズマを用いた高アスペクト比シリコンナノコーンの形成
使用中压氢等离子体形成高纵横比硅纳米锥
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：野村 俊光;木元 健太;垣内 弘章;安武 潔;大参 宏昌
- 通讯作者：大参 宏昌
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$ 11.15万 - 项目类别：
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