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nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma

nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma
半导体表面纳米结构用于高压氢等离子体光学管理
批准号：
20H02049
负责人：
Ohmi Hiromasa
金额：
$11.15万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02049/
关键词：
水素プラズマSi特殊加工表面処理反射率制御水素プラズマ無反射太陽電池シリコンナノ構造光反射率半導体光無反射表面光無反射無反射表面

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DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [Obonai Akiyoshi, Kogawa Takuma, Kanda Yuki, Oluwafemi Oluwatobi S., Kodama Tetsuya, Komiya Atsuki, 野村俊光，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌]
通讯作者： 野村俊光，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌
Surface nanostructuring of silicon by intermediate-pressure hydrogen plasma treatment
中压氢等离子体处理硅表面纳米结构
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi]
通讯作者： Hiromasa Ohmi
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影响因子： --
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通讯作者： 多村尚起，野村俊光，垣内弘章，大参宏昌
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DOI： 10.1016/j.mssp.2021.105780
发表时间： 2021-07
期刊： Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子： 4.1
作者： [H. Ohmi;K. Kimoto;T. Nomura;H. Kakiuchi;K. Yasutake]
通讯作者： H. Ohmi;K. Kimoto;T. Nomura;H. Kakiuchi;K. Yasutake
共 14 条
    Development of metal wiring process with low environmental load using high-density hydrogen radicals
    • 批准号：
      18K18809
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle
    • 批准号：
      16H04245
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.48万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of soft process of dimensional transformation for Si by non-equilibrium high-pressure hydrogen plasma
    • 批准号：
      15K13848
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science
    • 批准号：
      25289016
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金