化合物半導体疑似位相整合デバイスを用いた波長変換の研究

化合物半导体准相位匹配器件波长转换研究

基本信息

  • 批准号:
    14041203
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2002
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2002 至 2003
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.GaAs導波路型光パラメトリックデバイスの作製と評価赤外域で動作する超小型光パラメトリックデバイスを念頭に置いて,QPM周期7.6μmのGaAs/AlGaAsリッジ型導波路を作製し,長さ2mmのデバイスでパラメトリック蛍光(parametric fluorescence : PF)測定をおこなった。前年度に引き続き,デバイス特性の評価をおこない,温度チューニング特性が設計どおりであること,出力パワーが理論計算と同程度得られており,妥当な特性を発揮していることをあきらかにした。また,伝搬ロスが20dB/cm弱あり,これがデバイスの長尺化を妨げていることもわかった。2.波長変換デバイスにおける伝搬ロスの影響に関する検討差周波発生デバイス,光パラメトリックデバイス,バックワード光パラメトリックデバイスについて,伝搬ロスがその特性に与える影響をシミュレーションにより評価した。SROの光パラメトリックデバイスの場合は,共振器を構成しているため,わずかな伝播ロスが3桁にも及ぶ発振閾値の増大を招くのに対して,共振器を構成しない差周波発生デバイス,バックワード光パラメトリックデバイスにおいては数db/cmのロスの存在かにおいても発振閾値などの特性パラメータ劣化はfactor程度にとどまることがあきらかとなった。
1. GaAs waveguide type optical waveguide fabrication and evaluation of red domain operation, ultra-small optical waveguide fabrication and QPM period 7.6μm GaAs/AlGaAs waveguide fabrication and 2mm long optical waveguide (PF) measurement. In the past year, the characteristics of the company were evaluated, and the temperature was changed. The characteristics of the company were designed, and the output was calculated theoretically. The results were obtained to the same extent. The characteristics were developed properly. For example, if you want to change the size of your phone, you can change the size of your phone. 2. The analysis of the influence of wavelength change on the transmission characteristics of different frequencies is carried out. In the case of SRO optical control devices, when a resonator is formed, the internal transmission surface has three beams and the vibration threshold value increases. When the resonator is formed, differential frequency waves are generated, and the vibration threshold value increases due to the presence of several db/cm beams.

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
S.Kusano, S.Nakatani, T.Takahashi, K.Hirano, S.Koh, M.Ebihara, T.Kondo, R.Ito: "Study on Sublattice Reversal in a GaAs/Ge/GaAs(001) Crystal by X-ray Standing Waves"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. 2582-2586 (2003)
S.Kusano、S.Nakatani、T.Takahashi、K.Hirano、S.Koh、M.Ebihara、T.Kondo、R.Ito:“X 研究 GaAs/Ge/GaAs(001) 晶体中的亚晶格反转
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
近藤高志: "非線形光学効果を用いた波長変換の基礎"レーザ協会誌. 27. 3-11 (2002)
Takashi Kondo:“利用非线性光学效应进行波长转换的基础知识”激光协会杂志 27. 3-11 (2002)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
I.Shoji, T.Kondo, R.Ito: "Second-Order Susceptibilities of Various Dielectric and Semiconductor Materials"Opt.Quantum Electron.. 36. 797-833 (2002)
I.Shoji、T.Kondo、R.Ito:“各种电介质和半导体材料的二阶磁化率”Opt.Quantum Electron.. 36. 797-833 (2002)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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