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反射第2高調波エリプソメトリの開発と化合物半導体の非線形光学特性の研究

反射二次谐波椭偏仪的发展及化合物半导体非线性光学性质的研究

基本信息

批准号：
06650047
负责人：
近藤高志
金额：
$ 1.28万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06650047/
关键词：
非線形光学半導体第2高調波発生波長変換エリプソメトリ

项目摘要

1.反射第2高調波エリプソメトリの開発本研究で提案した反射第2高調波エリプソメトリと,基本波と第2高調波の波長での通常のエリプソメトリ測定を組み合わせることによって,申請者の予測した通りに,単一の試料を用いて膜厚・線形屈折率の実部と虚部・非線形光学定数の実部と虚部とを同時に決定することができること示した。バルク試料としてはGaAs単結晶基板,薄膜試料としてはAlGaAs/GaAsに対して基本波光源としてNd:YAGレーザを用いて実験をおこない,理論解析の結果とを比較することによって本手法の有効性を実証することができた。2.半導体薄膜の非線形光学定数の評価反射第2高調波エリプソメトリの手法を幾つかの新しい非線形光学半導体材料の評価に適用した。GaAs基板上に成長したAl_<0.2>Ga_<0.8>AsとGaP基板にイオン照射をおこなって作製した非晶室GaP,六方晶系のSiC,Si基板上に成長した立方晶β-SiCについて,その非線形光学定数を決定することに初めて成功した。これらのデータは,今後の化合物半導体を用いた高性能波長変換素子の研究・開発に欠くことのできない重要な基礎データとなるものと確信している。

1. In this study, we propose to combine the measurement of the wavelength of the fundamental wave and the wavelength of the second high-profile reflection wave with the measurement of the wavelength of the second high-profile reflection wave. For GaAs single crystal substrate, thin film sample, AlGaAs/GaAs fundamental wave light source, Nd:YAG crystal light source and Nd: YAG crystal light source, the theoretical analysis results are compared and the effectiveness of this method is demonstrated. 2. Evaluation of Nonlinear Optical Properties of Semiconductor Thin Films Al_<0.2>Ga_<0.8>As and GaP grown on GaAs substrate by irradiation. Amorphous GaP, hexagonal SiC, cubic β-SiC grown on Si substrate. Non-linear optical properties determined. The research and development of high-performance wavelength converters in compound semiconductors in the future are important for the development of basic technologies.