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AlGaAs系高機能波長変換デバイスの開発

AlGaAs基高性能波长转换器件的研制

基本信息

批准号：
13026206
负责人：
近藤高志
金额：
$ 2.69万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.AlGaAs導波路型DFGデバイスの最適設計DWDMフォトニックネットワークのOXC用波長変換デバィスを念頭において,1.55μm帯DFGデバイスの最適設計をおこなった。その結果,SHG規格化変換効率にして600%/W/cm^2もの高効率が達成でき,100mWのポンプ光入力に対して10mmのデバイスで30%以上の効率が得られること,3dB帯域幅は40nmと十分実用的であることを示した。2.AlGaAs導波路型DFGデバイスの作製と評価CMPによってテンプレートの段差の除去について検討し,4nm以下までの平坦化に成功した。副格子交換エピタキシー法と平坦化技術を組み合わせて,1次QpM導波路型AlGaAs DFGデバイスを初めて試作した。屈折率分散データの誤差のために設計よりも位相整合波長が長波長側にシフトしてしまったために,波長変換特性は十分に評価できなかったが,伝搬損失は控えめに見積もっても20dB/cm以下と改善できていることが確認できた。また,評価光学系を最適化することによって50%近い結合効率を実現できており,現在再作製中のデバイスが完成次第,高効率波長変換動作を確認できるものと考えている。3.GaAs光パラメトリックデバイスの設計と作製GaAs QPM光パラメトリック発振器の基本設計をおこない,LD励起固体レーザ程度の光源で励起可能で2-14μmをカバーする波長可変光源が実現可能であることを明らかにした。バルク型デバイスの実現を目指して,反転ドメイン境界の垂直性を保った成長法の検討をおこない,MBEとMOVPEでデューティ比保存成長条件を特定することができた。

1.AlGaAs waveguide type DFG waveguide optimal design DWDM waveguide OX C uses wavelength variation to replace the optimal design of DFG with 1.55μm. As a result, the SHG standardized conversion efficiency was 600%/W/cm^2 and the high efficiency was achieved, and the light input power of 100mW was achieved. The efficiency of 10mm is more than 30%, and the 3dB bandwidth is 40nm, which is very practical. 2. AlGaAs waveguide type DFG filter manufacturing and evaluation CMP filter The step difference has been removed and the flattening below 4nm has been successful. Sub-lattice switching method and flattening technology are used together, and 1st QpM waveguide type AlGaAs DFG is used for trial production. Refractive index dispersion, error, design, phase integration, wavelength, long wavelength side, wavelength conversion characteristics, The points are evaluated and the loss is controlled, and the loss is controlled and the accumulation is below 20dB/cm, and the improvement is confirmed when the loss is below 20dB/cm.また, evaluation of optical system を optimization することによって 50% close い combination efficiency を実现できており, now In the process of re-production, the high-efficiency wavelength conversion operation has been completed and the high-efficiency wavelength conversion operation has been confirmed. 3.GaAs light source design and production GaAs The basic design of QPM light source oscillator, LD excitation solid light source The wavelength of the light source that can be excited is 2-14μm, and the wavelength can be changed. The バルク type デバイスの実appears をocular finger して, the verticality of the reverse 転ドメインrealm をprotection ったgrowth method の検 Discussionをおこない,MBEとMOVPEでデューティratio preservation and growth conditionsをspecificすることができた.