Single-crystalline heterostructures fabricated using all-inorganic B-site substituted metal halide perovskite-type semiconductors

使用全无机 B 位取代金属卤化物钙钛矿型半导体制备单晶异质结构

• 批准号: 22H01969
• 负责人: 近藤 高志
• 金额: $ 11.23万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-04-01 至 2026-03-31
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22H01969/
• 关键词: ペロブスカイト太陽電池; 半導体光デバイス; ヘテロエピタキシー; 量子井戸

金属ハライドペロブスカイト型半導体を高機能光デバイス用汎用半導体材料に昇華させることを究極の目標とし，全無機Bサイト置換ハライドペロブスカイトヘテロ構造の作製と評価を目指す研究の基盤を築くために，種々の実験装置の整備を中心に研究を進めた。第1年度の成果の概要は以下のとおりである。真空蒸着による高品質ヘテロエピタキシーに関しては，2次元成長実現のための基板加熱機構と表面その場観察のためのRHEED（反射低速電子線回折）を現有の多元共蒸着装置に導入し，その動作を確認した。前者を活用して，ガラス基板上CsSnBr3の多結晶薄膜の結晶粒サイズ増大の効果を確認できた。また，多元蒸着によって，CsSnBr3/CsPbBr3多結晶ヘテロ積層構造の作製およびその安定性の確認をおこなうとともに，Cs(SnPb)Br3混晶多結晶薄膜の作製，組成制御，組成傾斜構造の作製に成功した。これらは，今後の単結晶ヘテロエピタキシーの基礎となる重要な基礎技術である。量子井戸試料の分光評価を行うためのTHz分光測定装置の整備を進め，フェムト秒レーザと光伝導スイッチを用いた分光光学系を立ち上げた。加えて，交流ホール測定系の立ち上げも完了し，導電性の定量的評価が可能となっている。混晶単結晶試料作製は，従来の有機Aサイトイオンハライドペロブスカイトとの違いが大きく難航しているが，全無機ハライドペロブスカイトに適した結晶育成法の探索を続けている。

Metal semiconductor materials are used for high-performance optical semiconductor materials. The ultimate goal is to improve the performance of semiconductor materials. The research on the preparation and evaluation of all-inorganic semiconductor materials is to improve the performance of semiconductor materials. Summary of the results of the first year Vacuum evaporation of high quality, high temperature, high The effect of increasing the crystal size of the polycrystalline CsSnBr3 thin film on the substrate was confirmed. The fabrication of Cs(SnPb)Br3 polycrystalline thin films, composition control and composition tilt structure were successfully carried out. This is the first time I've ever seen such a thing. The development of spectroscopic evaluation of quantum well samples In addition, the measurement system of AC conductivity is complete, and quantitative evaluation of conductivity is possible. The preparation of mixed crystal sample is very difficult for organic A and inorganic A and inorganic A.

项目成果

4元共蒸着法によるハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体の導電性制御

四元共蒸发法控制卤化铅钙钛矿半导体的电导率

• 发表时间: 2023
• 作者: 村 大介;劉 子豪;五月女 真人;松下 智紀;近藤 高志
• 通讯作者: 近藤 高志

Vapor phase deposition of lead-free halide perovskite alloy Cs(SnZn)Br3

无铅卤化物钙钛矿合金Cs(SnZn)Br3的气相沉积

• 发表时间: 2022
• 作者: Hanbo Jung;Zihao Liu;Masato Sotome;Takashi Kondo
• 通讯作者: Takashi Kondo

鉛ハライドペロブスカイト混晶の結晶学

卤化铅钙钛矿混晶的晶体学

• 发表时间: 2022
• 作者: Chen Wan-Hsin;Kawakami Naoya;Lin Jhe-Jhih;Huang Hsiang-I;Arafune Ryuichi;Takagi Noriaki;Lin Chun-Liang;小田竜樹;近藤高志
• 通讯作者: 近藤高志

3元共蒸着法によるハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体の導電性制御

三元共蒸发法控制卤化铅钙钛矿半导体的电导率

• 发表时间: 2022
• 作者: 中村大介;劉子豪;五月女真人;松下智紀;近藤高志
• 通讯作者: 近藤高志

Vapor-phase deposition of all-inorganic tin-lead halide perovskite heterostructures

全无机锡铅卤化物钙钛矿异质结构的气相沉积

• 发表时间: 2022
• 作者: Zihao Liu;Naoki Maekawa;Hanbo Jung;Masato Sotome;Tomonori Matsushita;Takashi Kondo
• 通讯作者: Takashi Kondo