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Control of Interfacial Strain between Wide-Bandgap Semiconductor and Electrode to Improve Interfacial Electrical Conductance
控制宽带隙半导体与电极之间的界面应变以提高界面电导
基本信息
- 批准号：24656444
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The present study aims to clarify the effect of strain induced in the GaN substrate on the electrical conductance of the contact interface and to demonstrate a technology to improve the conductance by controlling the strain in the GaN substrate. Compressive strain is induced in the GaN substrate in the vicinity of the contact electrode by formation of the Ti-based contact electrode. The interface with a larger compressive strain shows a lower conductance. Deposition of the same film as the electrode on the backside of the GaN substrate compensates the strain and improves the conductance.
本研究旨在阐明GaN衬底中诱导的应变对接触界面电导的影响，并展示一种通过控制GaN衬底中的应变来提高电导的技术。通过形成Ti基接触电极，在接触电极附近的GaN衬底中引起压缩应变。压应变较大的界面电导率较低。在GaN衬底的背面上沉积与电极相同的膜补偿应变并提高电导。
项目成果
期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Nickeltitaniu based contact for n-type silicon carbide to combine high ohmic conductivity and mechanical properties
用于 n 型碳化硅的镍钛基触点，结合了高欧姆电导率和机械性能
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Maeda;M. Sano and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Sano and Y. Takahashi
Interfacial nanostructure and electrical properties of Ti3SiC2 contact on p-type gallium nitride
p型氮化镓上Ti3SiC2接触的界面纳米结构和电学性能
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Maeda and Y. Takahashi
Control of interfacial properties in power electronic devices
电力电子器件界面特性的控制
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Kimura;M. Maeda and Y. Takahashi;M. Maeda and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Maeda and Y. Takahashi
Electrical properties of the interface between p-GaN and contact materials
p-GaN 与接触材料之间界面的电学特性
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Maeda and Y. Takahashi
Effect of argon ion irradiation on ohmic contact formation on n-type gallium nitride
氩离子辐照对n型氮化镓欧姆接触形成的影响
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Kimura;M. Maeda and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Maeda and Y. Takahashi
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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